STP30NF10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP30NF10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP30NF10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP30NF10 даташит

 ..1. Size:502K  st
stb30nf10 stp30nf10 stp30nf10fp.pdfpdf_icon

STP30NF10

STB30NF10 STP30NF10 - STP30NF10FP N-channel 100V - 0.038 - 35A - D2PAK/TO-220/TO-220FP Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB30NF10 100V

 ..2. Size:502K  st
stb30nf10t4 stb30nf10 stp30nf10 stp30nf10fp.pdfpdf_icon

STP30NF10

STB30NF10 STP30NF10 - STP30NF10FP N-channel 100V - 0.038 - 35A - D2PAK/TO-220/TO-220FP Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB30NF10 100V

 ..3. Size:807K  cn vbsemi
stp30nf10.pdfpdf_icon

STP30NF10

STP30NF10 www.VBsemi.tw N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS V(BR)DSS (V) rDS(on) ( )ID (A) Available 175 C Junction Temperature 0.032 at VGS = 10 V 45 RoHS* 100 Low Thermal Resistance Package 0.035 at VGS = 4.5 V 40 COMPLIANT D TO-220AB G S G D S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, u

 ..4. Size:267K  inchange semiconductor
stp30nf10.pdfpdf_icon

STP30NF10

Isc N-Channel MOSFET Transistor STP30NF10 FEATURES Typical R (on)=0.038 DS Application oriented characterization Easy to drive 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High-efficiency DC-DC coverters Motor control ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Dr

Другие IGBT... STP26NM60N, STP27N3LH5, STP28NM50N, STP2N62K3, STP2NK100Z, STP2NK60Z, STP2NK90Z, STP30N65M5, 10N60, STP30NF20, STP30NM30N, STP30NM50N, STP30NS15LFP, STP32N55M5, STP32N65M5, STP34NM60N, STP34NM60ND