STP34NM60ND. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP34NM60ND

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 53.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 168 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP34NM60ND

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP34NM60ND даташит

 ..1. Size:1236K  st
 stw34nm60nd stb34nm60nd stf34nm60nd stp34nm60nd.pdf pdf_icon

STP34NM60ND

STB34NM60ND, STF34NM60ND, STP34NM60ND, STW34NM60ND N-channel 600 V, 0.097 typ., 29 A FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 Datasheet production data Features TAB Order codes VDS @TJ max. RDS(on) max. ID 3 1 STB34NM60ND 3 2 1 D2PAK STF34NM60ND TO-220FP 650 V 0.110 29 A STP34NM60ND TAB STW34NM60ND The world s bes

 4.1. Size:510K  st
 stf34nm60n stp34nm60n stw34nm60n.pdf pdf_icon

STP34NM60ND

STF34NM60N STP34NM60N, STW34NM60N N-channel 600 V, 0.092 , 29 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-247, TO-220FP Preliminary data Features RDS(on) Type VDSS ID PTOT max. 3 3 2 2 STF34NM60N 600 V 0.105 29 A 40 W 1 1 STP34NM60N 600 V 0.105 29 A 210 W TO-247 TO-220 STW34NM60N 600 V 0.105 29 A 210 W 100% avalanche tested 3 Low input capacitance and ga

 4.2. Size:1363K  st
 stb34nm60n stp34nm60n.pdf pdf_icon

STP34NM60ND

STB34NM60N, STP34NM60N N-channel 600 V, 0.092 , 31.5 A MDmesh II Power MOSFETs in D PAK and TO-220 packages Datasheet - production data Features Order codes VDSS RDS(on) ID PTOT TAB STB34NM60N TAB 600 V 0.105 31.5 A 250 W STP34NM60N 2 100% avalanche tested 3 3 1 2 Low input capacitance and gate charge 1 2 D PAK Low gate input resistance TO-220 Ap

 8.1. Size:1424K  st
 stb34n65m5 sti34n65m5 stp34n65m5 stw34n65m5.pdf pdf_icon

STP34NM60ND

STB34N65M5, STI34N65M5, STP34N65M5, STW34N65M5 N-channel 650 V, 0.09 typ., 28 A MDmesh V Power MOSFETs in D2PAK, I2PAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TAB TAB Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID 2 3 1 3 2 1 STB34N65M5 D2PAK I2PAK STI34N65M5 710 V 0.11 28 A TAB STP34N65M5 STW34N65M5 Worldwide best RDS(on) * area 3 3 2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP30NF10, STP30NF20, STP30NM30N, STP30NM50N, STP30NS15LFP, STP32N55M5, STP32N65M5, STP34NM60N, IRF630, STP35N65M5, STP35NF10, STP36NF06, STP36NF06L, STP3LN62K3, STP3N150, STP3N62K3, STP3NK100Z