STP40NF10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP40NF10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 298 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP40NF10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP40NF10 даташит

 ..1. Size:451K  st
 stp40nf10.pdf pdf_icon

STP40NF10

STP40NF10 N-channel 100 V, 0.025 , 50 A TO-220 low gate charge STripFET II Power MOSFET Features Order code VDSS RDS(on) max. ID STP40NF10 100 V

 ..2. Size:685K  st
 stp40nf10 std40nf10.pdf pdf_icon

STP40NF10

STP40NF10 STD40NF10 - STB40NF10 N-CHANNEL 100V - 0.024 - 50A TO-220/DPAK/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP40NF10 100 V

 ..3. Size:373K  st
 stp40nf10 std40nf10.pdf pdf_icon

STP40NF10

STD40NF10 STP40NF10 N-channel 100V - 0.025 - 50A TO-220 / DPAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) Max ID STD40NF10 100V

 ..4. Size:261K  inchange semiconductor
 stp40nf10.pdf pdf_icon

STP40NF10

isc N-ChannelMOSFET Transistor STP40NF10 FEATURES Drain Current I = 50A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 28m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP3N150, STP3N62K3, STP3NK100Z, STP3NK60Z, STP3NK60ZFP, STP3NK80Z, STP3NK90Z, STP40NF03L, SKD502T, STP40NF10L, STP40NF12, STP40NF20, STP42N65M5, STP45NF06, STP45NF3LL, STP4N150, STP4N20