Справочник MOSFET. STP60NF03L

 

STP60NF03L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STP60NF03L
   Маркировка: P60NF03L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 43 nC
   trⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для STP60NF03L

 

 

STP60NF03L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:259K  st
 stp60nf03l.pdf

STP60NF03L STP60NF03L

STP60NF03LN-channel 30V - 0.008 - 60A TO-220STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP60NF03L 30V

 6.1. Size:514K  st
 stb60nf06lt4 stb60nf06l stp60nf06l stp60nf06lfp stp60nf06lfp.pdf

STP60NF03L STP60NF03L

STB60NF06LSTP60NF06L - STP60NF06LFPN-channel 60V - 0.012 - 60A - TO-220/D2PAK/TO-220FPSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB60NF06L 60V

 6.2. Size:279K  st
 stp60nf06.pdf

STP60NF03L STP60NF03L

STP60NF06N-channel 60V - 0.014 - 60A TO-220STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP60NF06 60V

 6.3. Size:514K  st
 stb60nf06l stp60nf06l stp60nf06lfp.pdf

STP60NF03L STP60NF03L

STB60NF06LSTP60NF06L - STP60NF06LFPN-channel 60V - 0.012 - 60A - TO-220/D2PAK/TO-220FPSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB60NF06L 60V

 6.4. Size:277K  st
 stp60nf06fp.pdf

STP60NF03L STP60NF03L

STP60NF06FPN-channel 60V - 0.014 - 30A TO-220FPSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTP60NF06FP 60V

 6.5. Size:724K  cn vbsemi
 stp60nf06fp.pdf

STP60NF03L STP60NF03L

STP60NF06FPwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.010 at VGS = 10 V 60 Material categorization:600.012 at VGS = 4.5 V 50TO-220 FULLPAKDGSD SGTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Para

 6.6. Size:205K  inchange semiconductor
 stp60nf06l.pdf

STP60NF03L STP60NF03L

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STP60NF06LFEATURESWith low gate drive requirementsEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSolenold and relay dirversDC-DC convertersAutomotive environmentABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VA

 6.7. Size:201K  inchange semiconductor
 stp60nf06fp.pdf

STP60NF03L STP60NF03L

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STP60NF06FPFEATURESTypical R (on)=0.08DSWith low gate drive requirementsEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSolenold and relay dirversDC-DC convertersAutomotive environmentABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top