Справочник MOSFET. APT30M40JVR

 

APT30M40JVR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APT30M40JVR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 285 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SOT227
 

 Аналог (замена) для APT30M40JVR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT30M40JVR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:70K  apt
 apt30m40jvr.pdf pdf_icon

APT30M40JVR

APT30M40JVR300V 70A 0.040POWER MOS VPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout."UL Recognized"ISOTOPD Faster Switching 100% Avalanc

 4.1. Size:73K  apt
 apt30m40jvfr.pdf pdf_icon

APT30M40JVR

APT30M40JVFR300V 70A 0.040POWER MOS V FREDFETPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout."UL Recognized"ISOTOP Fast Recovery Body Diode

 6.1. Size:116K  apt
 apt30m40b2vfrg.pdf pdf_icon

APT30M40JVR

APT30M40B2VFRAPT30M40LVFR300V 76A 0.040B2VFR POWER MOS V FREDFETT-MAXTO-264Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout

 6.2. Size:116K  apt
 apt30m40b2vr.pdf pdf_icon

APT30M40JVR

APT30M40B2VRAPT30M40LVR300V 76A 0.040WB2VRPOWER MOS VT-MAXPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementTO-264mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout..LVR Faster Switching

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... APT20M42HVR , APT20M45BVFR , APT20M45BVR , APT20M45SVFR , APT20M45SVR , APT30M19JVFR , APT30M19JVR , APT30M40JVFR , IRF640 , APT30M40LVFR , APT30M40LVR , APT30M70BVFR , APT30M70BVR , APT30M85BVFR , APT30M85BVR , APT30M90AVR , APT4012BVR .

History: SML802R4BN | FQP9N90C | PHP7N60E

 

 
Back to Top

 


 
.