STP75NF20 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STP75NF20
Маркировка: 75NF20
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 75 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 84 nC
Время нарастания (tr): 33 ns
Выходная емкость (Cd): 640 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.034 Ohm
Тип корпуса: TO220
STP75NF20 Datasheet (PDF)
stb75nf20 stp75nf20 stw75nf20.pdf
STB75NF20STP75NF20 - STW75NF20N-channel 200V - 0.028 - 75A - D2PAK - TO-220 - TO-247Low gate charge STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB75NF20 200V
stb75nf75 stp75nf75 stp75nf75fp.pdf
STB75NF75STP75NF75 - STP75NF75FPN-channel 75V - 0.0095 - 80A - TO-220 - TO-220FP - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB75NF75 75V
stp75nf75l.pdf
STP75NF75LSTB75NF75L STB75NF75L-1N-CHANNEL 75V - 0.009 - 75A D2PAK/I2PAK/TO-220STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTB75NF75L/-1 75 V
stb75nf75t4 stp75nf75fp.pdf
STB75NF75STP75NF75 - STP75NF75FPN-channel 75V - 0.0095 - 80A - TO-220 - TO-220FP - D2PAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB75NF75 75V
stp75nf68.pdf
STP75NF68N-channel 68 V, 0.010 , 80 A, TO-220STripFET II Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTP75NF68 68 V
stp75nf75fp.pdf
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STP75NF75FPFEATURESExcellent switching performanceWith low gate drive requirementsEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Dra
stp75nf75.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor STP75NF75FEATURESDrain Current I = 80A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 75V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.011(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONSuitable as primary switch in advanced hi
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
