STP76NF75. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP76NF75

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP76NF75

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP76NF75 даташит

 ..1. Size:767K  st
 stb76nf75 sti76nf75 stp76nf75.pdf pdf_icon

STP76NF75

STB76NF75, STI76NF75 STP76NF75 N-channel 75 V, 0.0095 , 80 A TO-220, D2PAK, I2PAK STripFET II Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max 3 1 STB76NF75 75 V

Другие IGBT... STP70N10F4, STP70NF03L, STP70NS04ZC, STP75N3LLH6, STP75NF20, STP75NF68, STP75NF75, STP75NS04Z, IRF730, STP78N75F4, STP7N52DK3, STP7N52K3, STP7N95K3, STP7NK30Z, STP7NK40Z, STP7NK80Z, STP7NK80ZFP