STP7NM80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP7NM80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.05 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP7NM80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP7NM80 даташит

 ..1. Size:969K  st
 std7nm80 std7nm80-1 stf7nm80 stp7nm80.pdf pdf_icon

STP7NM80

STD7NM80, STD7NM80-1 STF7NM80, STP7NM80 N-channel 800 V, 0.95 , 6.5 A TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK MDmesh Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STD7NM80 800 V

 ..2. Size:971K  st
 std7nm80-1 std7nm80 stf7nm80 stp7nm80.pdf pdf_icon

STP7NM80

STD7NM80, STD7NM80-1 STF7NM80, STP7NM80 N-channel 800 V, 0.95 , 6.5 A TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK MDmesh Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STD7NM80 800 V

 8.1. Size:882K  st
 std7nm60n stf7nm60n stp7nm60n stu7nm60n.pdf pdf_icon

STP7NM80

STD7NM60N, STF7NM60N STP7NM60N, STU7NM60N N-channel 600 V, 5 A, 0.76 , DPAK, TO-220FP, TO-220, IPAK second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS @ RDS(on) Order codes ID 3 TJmax max. 2 3 2 1 1 STD7NM60N TO-220 IPAK STF7NM60N 650 V

 8.2. Size:424K  st
 std7nm50n std7nm50n-1 stf7nm50n stp7nm50n.pdf pdf_icon

STP7NM80

STD7NM50N - STD7NM50N-1 STF7NM50N - STP7NM50N N-channel 500V - 0.70 - 5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS Type RDS(on) ID 3 (@Tjmax) 2 1 3 STD7NM50N 550V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP7N52DK3, STP7N52K3, STP7N95K3, STP7NK30Z, STP7NK40Z, STP7NK80Z, STP7NK80ZFP, STP7NM60N, IRFZ44, STP80N20M5, STP80N70F4, STP80NF06, STP80NF10, STP80NF10FP, STP80NF12, STP80NF55-06, STP80NF55-08