STP80PF55. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP80PF55

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP80PF55

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP80PF55 даташит

 ..1. Size:342K  st
stb80pf55 stp80pf55.pdfpdf_icon

STP80PF55

STB80PF55 STP80PF55 P-channel 55 V, 0.016 , 80 A TO-220, D2PAK STripFETTM II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STP80PF55 55V

 ..2. Size:104K  st
stp80pf55.pdfpdf_icon

STP80PF55

STP80PF55 P-CHANNEL 55V - 0.016 - 80A TO-220 STripFET II POWER MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STB80PF55 55 V

 ..3. Size:282K  inchange semiconductor
stp80pf55.pdfpdf_icon

STP80PF55

isc P-Channel MOSFET Transistor STP80PF55 FEATURES Drain Current I = -80A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = -55V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 18m (Max) @ V = -10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and sol

 9.1. Size:447K  st
stb80nf55-06 stb80nf55-06-1 stp80nf55-06 stp80nf55-06fp.pdfpdf_icon

STP80PF55

STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1 STP80NF55-06 - STP80NF55-06FP N-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB80NF55-06 55V

Другие IGBT... STP80NF06, STP80NF10, STP80NF10FP, STP80NF12, STP80NF55-06, STP80NF55-08, STP80NF55L-06, STP80NS04ZB, AON6414A, STP85N15F4, STP85N3LH5, STP85NF55, STP85NF55L, STP8N65M5, STP8NK100Z, STP8NK80Z, STP8NK80ZFP