Справочник MOSFET. STP8NM50N

 

STP8NM50N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP8NM50N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.79 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для STP8NM50N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP8NM50N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1402K  st
 std8nm50n stf8nm50n stp8nm50n stu8nm50n.pdf pdf_icon

STP8NM50N

STD8NM50N, STF8NM50NSTP8NM50N, STU8NM50NN-channel 500 V, 0.73 , 5 A MDmeshII Power MOSFETin DPAK, IPAK, TO-220 and TO-220FPFeaturesOrder codes VDSS@TJMAX RDS(on)max. ID3312STD8NM50N1DPAKSTF8NM50NIPAK550 V

 6.1. Size:329K  st
 stp8nm50.pdf pdf_icon

STP8NM50N

STP8NM50STP8NM50FPN-CHANNEL 500V - 0.7 - 8A TO-220/TO-220FPMDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP8NM50 500V

 6.2. Size:286K  st
 stp8nm50fp stp8nm50 stp8nm50fp.pdf pdf_icon

STP8NM50N

STP8NM50STP8NM50FPN-channel 550V @ Tjmax - 0.7 - 8A - TO-220 - TO-220FPMDmesh Power MOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID(@Tjmax)STP8NM50 550V

 8.1. Size:698K  st
 stb8nm60n std8nm60n-1 stf8nm60n stp8nm60n.pdf pdf_icon

STP8NM50N

STx8NM60NN-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max2132STB8NM60N 650 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STP85N3LH5 , STP85NF55 , STP85NF55L , STP8N65M5 , STP8NK100Z , STP8NK80Z , STP8NK80ZFP , STP8NM50 , IRFP260 , STP8NM60 , STP8NM60ND , STP8NS25 , STP90N15F4 , STP90N4F3 , STP90N55F4 , STP90NF03L , STP90NS04ZC .

History: HCD90R450 | MTA090P02J3 | DMT3006LPS-13 | NTB75N03R | STP19NM50N | WTX1012 | IRLHS6242

 

 
Back to Top

 


 
.