STP8NM60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP8NM60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP8NM60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP8NM60 даташит

 ..1. Size:559K  st
 stp8nm60 std5nm60 stb8nm60.pdf pdf_icon

STP8NM60

STD5NM60 STB8NM60 - STP8NM60 N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 , 8 A MDmesh Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, DPAK, IPAK Features Type VDSS RDS(on) ID Pw 3 1 STD5NM60 650 V

 ..2. Size:603K  st
 stp8nm60 std5nm60.pdf pdf_icon

STP8NM60

STP8NM60, STP8NM60FP STD5NM60, STD5NM60-1 N-CHANNEL 600V - 0.9 - 8A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK MDmesh Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP8NM60 600 V

 ..3. Size:554K  st
 std5nm60 stb8nm60 stp8nm60.pdf pdf_icon

STP8NM60

STD5NM60 STB8NM60 - STP8NM60 N-channel 650 V@Tjmax, 0.9 , 8 A MDmesh Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, DPAK, IPAK Features Type VDSS RDS(on) ID Pw 3 1 STD5NM60 650 V

 0.1. Size:698K  st
 stb8nm60n std8nm60n-1 stf8nm60n stp8nm60n.pdf pdf_icon

STP8NM60

STx8NM60N N-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 2 1 3 2 STB8NM60N 650 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP85NF55, STP85NF55L, STP8N65M5, STP8NK100Z, STP8NK80Z, STP8NK80ZFP, STP8NM50, STP8NM50N, STP75NF75, STP8NM60ND, STP8NS25, STP90N15F4, STP90N4F3, STP90N55F4, STP90NF03L, STP90NS04ZC, STP95N2LH5