Справочник MOSFET. STS5DNF60L

 

STS5DNF60L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STS5DNF60L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для STS5DNF60L

 

 

STS5DNF60L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:513K  st
sts5dnf60l.pdf

STS5DNF60L
STS5DNF60L

STS5DNF60LAutomotive-grade dual N-channel 60 V, 0.035 typ., 5 ASTripFET II Power MOSFET in an SO-8 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max. IDSTS5DNF60L 60 V 0.045 5 A AEC-Q101 qualified Low threshold driveSO-8Applications Switching applicationsDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThis Power MOSFET has been d

 ..2. Size:952K  cn vbsemi
sts5dnf60l.pdf

STS5DNF60L
STS5DNF60L

STS5DNF60Lwww.VBsemi.twDual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.040RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.055ID (A) per leg 7Configuration DualSO-8 DualD2D1 D2D2 5D16D178G1 G24G233S1S2S2 S222GG111N-Channel MOSFET N-Chann

 7.1. Size:437K  st
sts5dnf20v.pdf

STS5DNF60L
STS5DNF60L

STS5DNF20VN-channel 20 V, 0.030 , 5 A SO-82.7 V, drive STripFET II Power MOSFETFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max. ID

 8.1. Size:75K  st
sts5dne30l.pdf

STS5DNF60L
STS5DNF60L

STS5DNE30LN - CHANNEL 30V - 0.039 - 5A SO-8STripFET POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTS5DNE30L 30 V

 9.1. Size:371K  st
sts5dp3llh6.pdf

STS5DNF60L
STS5DNF60L

STS5DP3LLH6DUAL P-Channel 30 V, 0.04 typ., 5 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a SO-8 packageDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTS5DP3LLH6 30 V 0.06 at 10 V 5 A RDS(on)* Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanche ruggedness Low gate drive power lossesSO-8Applications Switching

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top