STU60N55F3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STU60N55F3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для STU60N55F3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STU60N55F3 даташит

 ..1. Size:624K  st
stb60n55f3 std60n55f3 stf60n55f3 sti60n55f3 stu60n55f3 stp60n55f3.pdfpdf_icon

STU60N55F3

STB60N55F3, STD60N55F3, STF60N55F3 STI60N55F3, STP60N55F3, STU60N55F3 N-channel 55 V, 6.5 m , 80 A, DPAK, IPAK, D2PAK, I2PAK, TO-220 TO-220FP STripFET III Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID Pw 3 3 2 1 3 1 STB60N55F3 55V

 8.1. Size:747K  st
std60n3lh5 stp60n3lh5 stu60n3lh5 stu60n3lh5-s stu60n3lh5-s.pdfpdf_icon

STU60N55F3

STD60N3LH5, STP60N3LH5 STU60N3LH5, STU60N3LH5-S N-channel 30 V, 0.0072 , 48 A DPAK, IPAK, Short IPAK, TO-220 STripFET V Power MOSFET Features Order codes VDSS RDS(on) max ID 3 STD60N3LH5 30 V 0.008 48 A 2 1 3 STP60N3LH5 30 V 0.0084 48 A 2 1 IPAK TO-220 STU60N3LH5 30 V 0.0084 48 A STU60N3LH5-S 30 V 0.0084 48 A RDS(on) * Qg industry benchmark 3 2 Extr

 8.2. Size:386K  st
std60n3lh5 stp60n3lh5 stu60n3lh5.pdfpdf_icon

STU60N55F3

STD60N3LH5 STP60N3LH5, STU60N3LH5 N-channel 30 V, 0.0072 , 48 A DPAK, IPAK, TO-220 STripFET V Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STD60N3LH5 30 V 0.008 48 A 3 2 STP60N3LH5 30 V 0.0084 48 A 1 STU60N3LH5 30 V 0.0084 48 A TO-220 RDS(on) * Qg industry benchmark 3 Extremely low on-resistance RDS(on) 3 2 1 1 Very low switching gate charge

 9.1. Size:120K  samhop
stu602s std602s.pdfpdf_icon

STU60N55F3

Green Product STU/D602S SamHop Microelectronics Corp. Aug 26,2006 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRODUCT SUMMARY FEATURES Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( m ) Max Rugged and reliable. 30 @ VGS = 10V 22A 60V TO-252 and TO-251 Package. 38@VGS = 4.5V D D D G G S S G STU SERIES STD SERIES TO-252AA(D-PAK) TO-251(l-PAK) S

Другие IGBT... STU3N45K3, STU3N62K3, STU4N52K3, STU4N62K3, STU5N52K3, STU5N62K3, STU5N95K3, STU60N3LH5, IRF640, STU65N3LLH5, STU6N62K3, STU6NF10, STU70N2LH5, STU75N3LLH6, STU75N3LLH6-S, STU7NM60N, STU85N3LH5