APT4020BVR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT4020BVR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для APT4020BVR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT4020BVR даташит

 ..1. Size:64K  apt
 apt4020bvr.pdf pdf_icon

APT4020BVR

APT4020BVR 400V 23A 0.200 POWER MOS V Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. D Faster Switching 100% Avalanche Tested Lower

 5.1. Size:72K  apt
 apt4020bvfrg.pdf pdf_icon

APT4020BVR

400V 23A 0.20 APT4020BVFR APT4020SVFR APT4020BVFRG* APT4020SVFRG* *G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish. BVFR FREDFET POWER MOS V Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement D3PAK mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V SVF

 5.2. Size:375K  inchange semiconductor
 apt4020bvfr.pdf pdf_icon

APT4020BVR

isc N-Channel MOSFET Transistor APT4020BVFR FEATURES Drain Current I =23A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =400V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =0.2 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

 6.1. Size:51K  apt
 apt4020bn.pdf pdf_icon

APT4020BVR

D TO-247 G APT4020BN 400V 26.0A 0.20 S APT4025BN 400V 23.0A 0.25 POWER MOS IV N- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless otherwise specified. APT APT Symbol Parameter 4020BN 4025BN UNIT VDSS Drain-Source Voltage 400 400 Volts ID Continuous Drain Current @ TC = 25 C 26 23 Amps IDM Pulsed Drain Current 1 104 92

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT4012BVR, APT4014BVR, APT4014HVR, APT4015AVR, APT4016BN, APT4016BVR, APT4018HVR, APT4020BN, 8205A, APT4030CNR, APT40M35JVR, APT40M35PVR, APT40M42JN, APT40M70JVR, APT40M70LVR, APT40M75JN, APT40M82WVR