Справочник MOSFET. STW19NM50N

 

STW19NM50N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STW19NM50N
   Маркировка: 19NM50N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 34 nC
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для STW19NM50N

 

 

STW19NM50N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:709K  st
 stf19nm50n stp19nm50n stw19nm50n.pdf

STW19NM50N STW19NM50N

STF19NM50NSTP19NM50N, STW19NM50NN-channel 500 V, 0.2 , 14 A MDmesh II Power MOSFETin TO-220FP, TO-220 and TO-247FeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDTJmax max33STF19NM50N2211STP19NM50N 550 V

 7.1. Size:543K  st
 stb19nm65n sti19nm65n stf19nm65n stp19nm65n stw19nm65n.pdf

STW19NM50N STW19NM50N

STF19NM65N-STI19NM65N-STW19NM65NSTB19NM65N - STP19NM65NN-channel 650 V - 0.25 - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) max ID(@Tjmax)323121STB19NM65N 710 V

 7.2. Size:538K  st
 stb19nm65n stf19nm65n sti19nm65n stp19nm65n stw19nm65n.pdf

STW19NM50N STW19NM50N

STF19NM65N-STI19NM65N-STW19NM65NSTB19NM65N - STP19NM65NN-channel 650 V - 0.25 - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) max ID(@Tjmax)323121STB19NM65N 710 V

 7.3. Size:1016K  st
 stw19nm60n.pdf

STW19NM50N STW19NM50N

STW19NM60NAutomotive-grade N-channel 600 V, 0.26 typ., 13 A MDmesh II Power MOSFET in a TO-247 packageDatasheet - production dataFeatures VDS RDS(on) Order code ID PTOT(@Tjmax) max.STW19NM60N 650 V 0.285 13 A 110 W Designed for automotive applications and 3AEC-Q101 qualified21 100% avalanche testedTO-247 Low input capacitance and gate charge

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top