STW20NM60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STW20NM60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для STW20NM60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW20NM60 даташит

 ..1. Size:444K  st
 stb20nm60 stp20nm60fp stp20nm60 stw20nm60.pdf pdf_icon

STW20NM60

STB20NM60-1 - STP20NM60FP STB20NM60 - STP20NM60 - STW20NM60 N-channel 600V - 0.25 - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAK MDmesh Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID 3 1 STP20NM60 600V

 ..2. Size:256K  st
 stw20nm60.pdf pdf_icon

STW20NM60

STW20NM60 N-CHANNEL 600V - 0.26 - 20A TO-247 MDmesh Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW20NM60 600V

 ..3. Size:437K  st
 stb20nm60-1 stp20nm60fp stb20nm60 stp20nm60 stw20nm60.pdf pdf_icon

STW20NM60

STB20NM60-1 - STP20NM60FP STB20NM60 - STP20NM60 - STW20NM60 N-channel 600V - 0.25 - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAK MDmesh Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID 3 1 STP20NM60 600V

 0.1. Size:344K  st
 stf20nm60d stp20nm60fd stw20nm60fd.pdf pdf_icon

STW20NM60

STF20NM60D - STP20NM60FD STW20NM60FD N-channel 600V - 0.26 - 20A - TO-220 - TO-220FP - TO-247 FDmesh Power MOSFET (with fast diode) General features Type VDSS RDS(on) ID Pw STF20NM60D 600V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STW17N62K3, STW18NM60N, STW18NM80, STW19NM50N, STW20N95K5, STW20NK50Z, STW20NM50, STW20NM50FD, IRFP250, STW20NM60FD, STW21N65M5, STW21N90K5, STW21NM60ND, STW22NM60N, STW23NM50N, STW23NM60ND, STW24NK55Z