STW26NM50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STW26NM50
Маркировка: W26NM50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 313 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 76 nC
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 700 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.12 Ohm
Тип корпуса: TO247
STW26NM50 Datasheet (PDF)
stw26nm50.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STW26NM50N-channel 500 V, 0.10 , 30 A TO-247MDmesh Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTW26NM50 500 V
stw26nm50.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
isc N-Channel MOSFET Transistor STW26NM50FEATURESWith TO-247 packagingWith low gate drive requirementsEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 500 VDSSV Gat
stw26nm60.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STW26NM60N-CHANNEL 600V - 0.125 - 30A TO-247MDmesh MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) IDSTW26NM60 600 V
stb26nm60n stf26nm60n stp26nm60n stw26nm60n.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STB26NM60N, STF26NM60NSTP26NM60N, STW26NM60NN-channel 600 V, 0.135 , 20 A MDmesh II Power MOSFETD2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesRDS(on) Type VDSS IDmax32312STB26NM60N 600 V
stw26nm60n.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STW26NM60N N-channel 600 V, 0.135 typ., 20 A MDmesh II Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) DSTW26NM60N 600 V 0.165 20 A 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge 3 Low gate input resistance 21Applications Switching applications TO-247Description Figure 1
stb26nm60nd stf26nm60nd stp26nm60nd stw26nm60nd.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STB26NM60ND, STF26NM60ND, STP26NM60ND, STW26NM60NDN-channel 600 V, 0.145 typ., 21 A, FDmesh II Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABOrder codes VDS @ Tjmax RDS(on) max ID31STB26NM60ND23D PAK21 STF26NM60ND650 V 0.175 21 ATO-220FPSTP26NM60NDTABSTW26NM60ND 100% avalanche tested3 32
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .