APT40M42JN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT40M42JN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 690 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 86 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm

Тип корпуса: SOT227

Аналог (замена) для APT40M42JN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT40M42JN даташит

 ..1. Size:59K  apt
apt40m42jn.pdfpdf_icon

APT40M42JN

D G APT40M42JN 400V 86A 0.042 S "UL Recognized" File No. E145592 (S) ISOTOP POWER MOS IV SINGLE DIE ISOTOP PACKAGE N- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless otherwise specified. APT Symbol Parameter 40M42JN UNIT VDSS Drain-Source Voltage 400 Volts ID Continuous Drain Current @ TC = 25 C 86 Amps IDM, lLM Pulse

 8.1. Size:62K  apt
apt40m70lvr.pdfpdf_icon

APT40M42JN

APT40M70LVR 400V 57A 0.070 POWER MOS V Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-264 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.. Faster Switching 100% Avalanche Tested D Lowe

 8.2. Size:69K  apt
apt40m70jvr.pdfpdf_icon

APT40M42JN

APT40M70JVR 400V 53A 0.070 POWER MOS V Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. "UL Recognized" ISOTOP Faster Switching 100% Avalanche

 8.3. Size:72K  apt
apt40m35jvr.pdfpdf_icon

APT40M42JN

APT40M35JVR 400V 93A 0.035 POWER MOS V Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. "UL Recognized" ISOTOP Faster Switching 100% Avalanche

Другие IGBT... APT4016BN, APT4016BVR, APT4018HVR, APT4020BN, APT4020BVR, APT4030CNR, APT40M35JVR, APT40M35PVR, IRF9540, APT40M70JVR, APT40M70LVR, APT40M75JN, APT40M82WVR, APT5010B2VFR, APT5010B2VR, APT5010JN, APT5010JVFR