Справочник MOSFET. STW32N55M5

 

STW32N55M5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STW32N55M5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 550 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STW32N55M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:277K  st
stp32n55m5 stw32n55m5.pdfpdf_icon

STW32N55M5

STP32N55M5, STW32N55M5N-channel 550 V, 0.074 , 29 A, MDmesh V Power MOSFETin TO-220 and TO-247Preliminary dataFeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID@TJmax maxSTP32N55M5550 V

 8.1. Size:1086K  st
stb32n65m5 stf32n65m5 sti32n65m5 stp32n65m5 stw32n65m5.pdfpdf_icon

STW32N55M5

STB32N65M5, STF32N65M5, STI32N65M5STP32N65M5, STW32N65M5N-channel 650 V, 0.095 , 24 A, MDmesh V Power MOSFETin D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesVDSS@ Type RDS(on) max IDTJmax 33123 12STB32N65M5 710 V

 8.2. Size:1168K  st
stb32nm50n stf32nm50n stp32nm50n stw32nm50n.pdfpdf_icon

STW32N55M5

STB32NM50N, STF32NM50N,STP32NM50N, STW32NM50NN-channel 500 V, 0.1 typ., 22 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesTABRDS(on) Order codes VDS ID PTOT2max.3132STB32NM50N 190 W1DPAKTO-220FPSTF32NM50N 35 W500 V 0.13 22 ASTP32NM50N 190 WTABSTW32NM50N 190 W 100% avalanche t

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: FDG6301N | IRF740FI | SI4913DY | ME25N06 | KF6N60I | APTM100H45SCTG | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.