STW62NM60N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STW62NM60N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.049 Ohm
Тип корпуса: TO247
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STW62NM60N Datasheet (PDF)
stw62nm60n.pdf

STW62NM60NN-channel 600 V, 0.04 typ., 65 A, MDmesh II Power MOSFET in a TO-247 packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS IDmaxSTW62NM60N 600 V 0.049 65 A 100% avalanche tested3 Low input capacitance and gate charge21 Low gate input resistanceTO-247Applications Switching applicationsDescriptionFigure 1. Internal sc
stw62n65m5.pdf

STW62N65M5Automotive-grade N-channel 650 V, 0.041 typ., 46 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO-247 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTW62N65M5 710 V 0.049 46 A Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified32 Extremely low RDS(on)1 Low gate charge and input capacitanceTO-247 Excellent sw
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: IRF241 | NCE70T180D
History: IRF241 | NCE70T180D



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810