Справочник MOSFET. STW9N150

 

STW9N150 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STW9N150
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 14.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 294 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STW9N150 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:260K  st
stw9n150.pdfpdf_icon

STW9N150

STW9N150N-channel 1500 V - 1.8 - 8 A - TO-247very high voltage PowerMESH Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PwSTW9N150 1500 V

 9.1. Size:132K  st
2sk2078 stw9na80.pdfpdf_icon

STW9N150

STW9NA80STH9NA80FI N - CHANNEL 800V - 0.85 - 9.1A - TO-247/ISOWATT218FAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NA80 800 V

 9.2. Size:125K  st
stw9na60.pdfpdf_icon

STW9N150

STW9NA60STH9NA60FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NA60 600 V

 9.3. Size:991K  st
stb9nk90z stf9nk90z stp9nk90z stw9nk90z.pdfpdf_icon

STW9N150

STB9NK90Z, STF9NK90ZSTP9NK90Z, STW9NK90ZN-channel 900 V, 1.1 , 8 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247Zener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID Pwmax.331STB9NK90Z 160 W 21DPAKTO-220STW9NK90Z 160 W900V

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: BUZ381 | IRF7351 | IAUC100N10S5N040 | STU601S | PK6A6BA | IXTF02N450 | IRF60DM206

 

 
Back to Top

 


 
.