STW9N150 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STW9N150
Маркировка: 9N150
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 320 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 89.3 nC
Время нарастания (tr): 14.7 ns
Выходная емкость (Cd): 294 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.5 Ohm
Тип корпуса: TO247
STW9N150 Datasheet (PDF)
stw9n150.pdf
STW9N150N-channel 1500 V - 1.8 - 8 A - TO-247very high voltage PowerMESH Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PwSTW9N150 1500 V
2sk2078 stw9na80.pdf
STW9NA80STH9NA80FI N - CHANNEL 800V - 0.85 - 9.1A - TO-247/ISOWATT218FAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NA80 800 V
stw9na60.pdf
STW9NA60STH9NA60FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NA60 600 V
stb9nk90z stf9nk90z stp9nk90z stw9nk90z.pdf
STB9NK90Z, STF9NK90ZSTP9NK90Z, STW9NK90ZN-channel 900 V, 1.1 , 8 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247Zener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID Pwmax.331STB9NK90Z 160 W 21DPAKTO-220STW9NK90Z 160 W900V
stp9nk70z stp9nk70zfp stb9nk70z stb9nk70z-1 stw9nk70z.pdf
STP9NK70Z - STP9NK70ZFPSTB9NK70Z - STB9NK70Z-1 - STW9NK70ZN-CHANNEL 700V - 1 - 7.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247Zener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP9NK70Z 700 V
stw9nb80.pdf
STW9NB80N-CHANNEL 800V - 0.85 - 9.3A TO-247PowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NB80 800V
stw9nk95z.pdf
STW9NK95ZN-channel 950 V - 1.15 - 7 A - TO-247Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PwMaxSTW9NK95Z 950 V
stw9nc70z.pdf
STW9NC70ZN-CHANNEL 700V - 0.90 - 7.5A TO-247Zener-Protected PowerMESHIII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NC70Z 700 V
stw9nb90.pdf
STW9NB90N-CHANNEL 900V - 0.85 - 9.7A - TO-247PowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NB90 900 V
stp9n80k5 stw9n80k5.pdf
STP9N80K5, STW9N80K5 N-channel 800 V, 0.73 typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFETs in a TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TABOrder code V R max. I DS DS(on) DSTP9N80K5 800 V 0.90 7 A STW9N80K5 33 Industrys lowest R x area DS(on)221 Industrys best FoM (figure of merit) 1 Ultra-low gate charge 100% avala
stw9na80.pdf
STW9NA80STH9NA80FI N - CHANNEL 800V - 0.85 - 9.1A - TO-247/ISOWATT218FAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NA80 800 V
stw9nc80z.pdf
STW9NC80ZN-CHANNEL 800V - 0.82 - 9.4A TO-247Zener-Protected PowerMESHIII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NC80Z 800 V
stw9nk90z.pdf
iscN-Channel MOSFET Transistor STW9NK90ZFEATURESDrain Current : I =8A@ T =25D CDrain Source Voltage: V =900V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =1.3(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.ABSOL
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: 2SK3341-01 | SIHFPG30
