BSC030N03LSG. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BSC030N03LSG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 5.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
Тип корпуса: TDSON8
Аналог (замена) для BSC030N03LSG
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BSC030N03LSG даташит
bsc030n03lsg.pdf
BSC030N03LS G OptiMOS 3 Power-MOSFET Product Summary Features V 30 V DS R 3 m Fast switching MOSFET for SMPS DS(on),max I 100 A D Optimized technology for DC/DC converters PG-TDSON-8 Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) Superi
bsc030n03ls .pdf
& " & E $;B1= !#& ' $=;0@/? &@99-=D Features D m Q 2CD CG D49 ?8 ') - . 7@B -'*- D n) m x 1 D Q ) AD > J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BC 1) G D ON Q + E2= 7 65 244@B5 ?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA= 42D @?C Q ( 492??6= &@8 4 =6F6= Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n) Q /6BI =@G @? B6C CD2?46 D n) Q -EA6B @B D96B>2= B6C CD2?46 Q F2=2?496 B2D65 Q *3 7B66 A=2D ?8 , @
bsc030n03ls.pdf
BSC030N03LS G OptiMOS 3 Power-MOSFET Product Summary Features V 30 V DS R 3 m Fast switching MOSFET for SMPS DS(on),max I 100 A D Optimized technology for DC/DC converters PG-TDSON-8 Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) Superi
bsc030n03ms.pdf
BSC030N03MS G OptiMOS 3 M-Series Power-MOSFET Product Summary Features V 30 V DS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) R V =10 V 3 m DS(on),max GS Low FOMSW for High Frequency SMPS V =4.5 V 3.8 GS I 100 A 100% avalanche tested D PG-TDSON-8 N-channel Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5V Excellent gate charge x RDS(on) product
Другие MOSFET... BSC020N03MSG , BSC022N03SG , BSC024NE2LS , BSC025N03LSG , BSC025N03MSG , BSC026N02KSG , BSC027N04LSG , BSC028N06LS3G , IRFP250 , BSC030N03MSG , BSC030N04NSG , BSC030P03NS3G , BSC031N06NS3G , BSC032N03SG , BSC034N03LSG , BSC035N04LSG , BSC042N03LSG .
History: NCEP60T12A | 2SK1204 | IPP024N06N3 | IRF251
History: NCEP60T12A | 2SK1204 | IPP024N06N3 | IRF251
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c | kn2907a





