Справочник MOSFET. BSC034N03LSG

 

BSC034N03LSG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSC034N03LSG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm
   Тип корпуса: TDSON8
 

 Аналог (замена) для BSC034N03LSG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC034N03LSG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:670K  infineon
bsc034n03lsg.pdfpdf_icon

BSC034N03LSG

BSC034N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct Summary Features VDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPSRDS(on),max 3.4 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 100 A Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Sup

 3.1. Size:631K  infineon
bsc034n03ls.pdfpdf_icon

BSC034N03LSG

BSC034N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct Summary Features VDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPSRDS(on),max 3.4 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 100 A Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Sup

 3.2. Size:686K  infineon
bsc034n03ls .pdfpdf_icon

BSC034N03LSG

& " & E $;B1= !#& '$=;0@/? &@99-=D 1-?@=1> D Q 2CD CG:D49:?8 ') - . 7@B -'*- 4m D n) m xQ ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BC 1 D1)Q + E2=:7:65 244@B5:?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?C G D ON Q ( 492??6= &@8:4 =6F6=Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n)Q /6BI =@G @? B6C:CD2?46 D n)Q -EA6B:@B D96B>2= B6C:CD2?46Q F2=2?496 B2D65Q *3 7B66 A=2D:?

 6.1. Size:489K  infineon
bsc034n06ns.pdfpdf_icon

BSC034N03LSG

TypeBSC034N06NSOptiMOSTM Power-TransistorFeaturesProduct Summary Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.VDS 60 V 100% avalanche testedRDS(on),max 3.4 mW Superior thermal resistanceID 100 A N-channelQOSS nC 37 Qualified according to JEDEC1) for target applicationsQG(0V..10V) 33 nC Pb-free lead plating; RoHS compliant Hal

Другие MOSFET... BSC027N04LSG , BSC028N06LS3G , BSC030N03LSG , BSC030N03MSG , BSC030N04NSG , BSC030P03NS3G , BSC031N06NS3G , BSC032N03SG , IRFZ46N , BSC035N04LSG , BSC042N03LSG , BSC042N03MSG , BSC042N03SG , BSC042NE7NS3G , BSC046N02KSG , BSC047N08NS3G , BSC050N03LSG .

History: SLB80R240SJ | AM7496N | AOSP32320C | IRFS842 | 2SK2666 | AONR66924 | 2SK2646-01

 

 
Back to Top

 


 
.