Справочник MOSFET. BSC050N04LSG

 

BSC050N04LSG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BSC050N04LSG
   Маркировка: 050N04LS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 36 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TDSON8

 Аналог (замена) для BSC050N04LSG

 

 

BSC050N04LSG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:520K  infineon
 bsc050n04lsg.pdf

BSC050N04LSG BSC050N04LSG

BSC050N04LS GOptiMOS3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 40 V Fast switching MOSFET for SMPSRDS(on),max 5.0 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 85 A Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) S

 6.1. Size:485K  infineon
 bsc050n03ms.pdf

BSC050N04LSG BSC050N04LSG

BSC050N03MS GOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETProduct Summary Features VDS 30 V Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) RDS(on),max VGS=10 V 5 mW Low FOMSW for High Frequency SMPSVGS=4.5 V 6.3 100% avalanche tested ID 80 A PG-TDSON-8 N-channel Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM)DS

 6.2. Size:548K  infineon
 bsc050n03msg5.pdf

BSC050N04LSG BSC050N04LSG

% ! % D %0S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 0D n) G S J57>>7@F 93F7 5:3D97 J BDA6G5F !* ( D n)1)S , G3>;8;76 355AD6;@9 FA % 8AD F3D97F 3BB>;53F;A@ES .GB7D;AD F:7D?3> D7

 6.3. Size:482K  infineon
 bsc050n03ls.pdf

BSC050N04LSG BSC050N04LSG

BSC050N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPSRDS(on),max 5 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 80 A Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Superio

 6.4. Size:691K  infineon
 bsc050n03ls .pdf

BSC050N04LSG BSC050N04LSG

& " & E $;B1= !#& '$=;0@/? &@99-=DFeaturesD Q 2CD CG:D49:?8 ') - . 7@B -'*-m D n) m xQ ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BC D1)Q + E2=:7:65 244@B5:?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?C G D ON Q ( 492??6= &@8:4 =6F6=Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n)Q /6BI =@G @? B6C:CD2?46 D n)Q -EA6B:@B D96B>2= B6C:CD2?46Q F2=2?496 B2D65Q *3 7B66 A=2D:?8 , @"- 4@>

 6.5. Size:522K  infineon
 bsc050n03lsg.pdf

BSC050N04LSG BSC050N04LSG

BSC050N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPSRDS(on),max 5 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 80 A Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Superio

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top