BSC050N04LSG - описание и поиск аналогов

 

BSC050N04LSG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSC050N04LSG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: TDSON8

Аналог (замена) для BSC050N04LSG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC050N04LSG даташит

 ..1. Size:520K  infineon
bsc050n04lsg.pdfpdf_icon

BSC050N04LSG

BSC050N04LS G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 40 V Fast switching MOSFET for SMPS RDS(on),max 5.0 mW Optimized technology for DC/DC converters ID 85 A Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) S

 6.1. Size:485K  infineon
bsc050n03ms.pdfpdf_icon

BSC050N04LSG

BSC050N03MS G OptiMOS 3 M-Series Power-MOSFET Product Summary Features VDS 30 V Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) RDS(on),max VGS=10 V 5 mW Low FOMSW for High Frequency SMPS VGS=4.5 V 6.3 100% avalanche tested ID 80 A PG-TDSON-8 N-channel Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM) DS

 6.2. Size:548K  infineon
bsc050n03msg5.pdfpdf_icon

BSC050N04LSG

% ! % D %0 S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 0 D n) G S J57>>7@F 93F7 5 3D97 J BDA6G5F !* ( D n) 1) S , G3>;8;76 355AD6;@9 FA % 8AD F3D97F 3BB>;53F;A@E S .GB7D;AD F 7D?3> D7

 6.3. Size:482K  infineon
bsc050n03ls.pdfpdf_icon

BSC050N04LSG

BSC050N03LS G OptiMOS 3 Power-MOSFET Product Summary Features VDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPS RDS(on),max 5 mW Optimized technology for DC/DC converters ID 80 A Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) Superio

Другие MOSFET... BSC042N03LSG , BSC042N03MSG , BSC042N03SG , BSC042NE7NS3G , BSC046N02KSG , BSC047N08NS3G , BSC050N03LSG , BSC050N03MSG , P60NF06 , BSC050NE2LS , BSC052N03LS , BSC052N03SG , BSC054N04NSG , BSC057N03LSG , BSC057N03MSG , BSC057N08NS3G , BSC059N03SG .

History: SWB16N65K | RUH1H150T | HYG055N08NS1P | BSC067N06LS3G | KDW2503N

 

 

 

 

↑ Back to Top
.