Справочник MOSFET. BSC050N04LSG

 

BSC050N04LSG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSC050N04LSG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TDSON8
 

 Аналог (замена) для BSC050N04LSG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC050N04LSG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:520K  infineon
bsc050n04lsg.pdfpdf_icon

BSC050N04LSG

BSC050N04LS GOptiMOS3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 40 V Fast switching MOSFET for SMPSRDS(on),max 5.0 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 85 A Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) S

 6.1. Size:485K  infineon
bsc050n03ms.pdfpdf_icon

BSC050N04LSG

BSC050N03MS GOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETProduct Summary Features VDS 30 V Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) RDS(on),max VGS=10 V 5 mW Low FOMSW for High Frequency SMPSVGS=4.5 V 6.3 100% avalanche tested ID 80 A PG-TDSON-8 N-channel Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM)DS

 6.2. Size:548K  infineon
bsc050n03msg5.pdfpdf_icon

BSC050N04LSG

% ! % D %0S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 0D n) G S J57>>7@F 93F7 5:3D97 J BDA6G5F !* ( D n)1)S , G3>;8;76 355AD6;@9 FA % 8AD F3D97F 3BB>;53F;A@ES .GB7D;AD F:7D?3> D7

 6.3. Size:482K  infineon
bsc050n03ls.pdfpdf_icon

BSC050N04LSG

BSC050N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPSRDS(on),max 5 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 80 A Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Superio

Другие MOSFET... BSC042N03LSG , BSC042N03MSG , BSC042N03SG , BSC042NE7NS3G , BSC046N02KSG , BSC047N08NS3G , BSC050N03LSG , BSC050N03MSG , AO3401 , BSC050NE2LS , BSC052N03LS , BSC052N03SG , BSC054N04NSG , BSC057N03LSG , BSC057N03MSG , BSC057N08NS3G , BSC059N03SG .

History: ME7644-G | CHM4282JGP | UPA1717 | PNM523T703E0-2 | AOUS66414 | OSG60R099HEZF | 2SK4067I

 

 
Back to Top

 


 
.