Справочник MOSFET. BSC082N10LSG

 

BSC082N10LSG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSC082N10LSG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 710 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm
   Тип корпуса: TDSON8
 

 Аналог (замена) для BSC082N10LSG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC082N10LSG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:670K  infineon
bsc082n10ls7 bsc082n10lsg.pdfpdf_icon

BSC082N10LSG

& " & E $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=D 1 Features D m R ( 492??6= =@8:4 =6G6= D n) m x 1 R I46==6?E 82E6 492C86 I AC@5F4E ) ' DD n)R /6CJ =@H @? C6D:DE2?46 D n)R U @A6C2E:?8 E6>A6C2EFC6 G D ON R *3 7C66 =625 A=2E:?8 , @"- 4@>A=:2?E1)R + F2=:7:65 244@C5:?8 E@ $ 7@C E2C86E 2AA=:42E:@?R #562= 7@C 9:89 7C6BF6?4J DH:E49:?8 2?5 DJ?49C@?@FD C64E:7:42E:@?R

 9.1. Size:524K  infineon
bsc080n03msg.pdfpdf_icon

BSC082N10LSG

BSC080N03MS GOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 30 V Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)RDS(on),max VGS=10 V 8 mW Low FOMSW for High Frequency SMPSVGS=4.5 V 10.2 100% avalanche testedID 53 A N-channel PG-TDSON-8 Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM)

 9.2. Size:533K  infineon
bsc084p03ns3g.pdfpdf_icon

BSC082N10LSG

& $ "& '! $ $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeatures VDSQ C:?8=6 ) 92??6= :? ,EA6B,( 8.4m DS(on) max1)Q * E2=:7:65 244@B5:?8 $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?C 78.6 ADQ T @A6B2D:?8 D6>A6B2DEB6PGTDSON8Q F2=2?496 D6CD65Q . CA64:2==I CE:D65 7@B ?@D63@@A=:2?DQ 2AA=:42D:@?C 32DD6BI >2?286>6?D =@25 CG:D49:?8Q "2=@86? 7B6

 9.3. Size:1075K  infineon
bsc0805ls.pdfpdf_icon

BSC082N10LSG

BSC0805LSMOSFETSuperSO8OptiMOSTM5 Power-Transistor, 100 V5867Features 7685 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. Rec. 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel, logic level4 Pb-free lead plating; RoHS compliant132 2 Halogen-free according to IEC61249-2-213 14Product validationQualified according to J

Другие MOSFET... BSC070N10NS3G , BSC072N03LDG , BSC076N06NS3G , BSC077N12NS3G , BSC079N10NSG , BSC080N03LSG , BSC080N03MSG , BSC080P03LSG , 5N50 , BSC084P03NS3G , BSC084P03NS3EG , BSC0901NS , BSC0902NS , BSC0908NS , BSC0909NS , BSC090N03LSG , BSC090N03MSG .

History: 2N6896 | PA210HK | AM4434N | LSD60R099HT | APT30M30JFLL | KQB6N70 | AOD66923

 

 
Back to Top

 


 
.