Справочник MOSFET. BSC0901NS

 

BSC0901NS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSC0901NS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 960 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0019 Ohm
   Тип корпуса: TDSON8
 

 Аналог (замена) для BSC0901NS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC0901NS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1609K  infineon
bsc0901ns bsc0901ns .pdfpdf_icon

BSC0901NS

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSC0901NS Data Sheet2.1, 2011-09-23Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSC0901NS1 DescriptionOptiMOS30V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make OptiMOS

 0.1. Size:580K  infineon
bsc0901nsi.pdfpdf_icon

BSC0901NS

BSC0901NSIOptiMOSTM Power-MOSFETProduct SummaryFeaturesVDS 30 V Optimized SyncFET for high performance buck converterRDS(on),max 2mW Integrated monolithic Schottky-like diodeID 100 A Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GSQOSS 28 nC 100% avalanche testedQG(0V..10V) 41 nC Superior thermal resistance N-channel Qualified according to JEDE

 8.1. Size:816K  infineon
bsc0902ns.pdfpdf_icon

BSC0901NS

BSC0902NSOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 30 V Optimized for high performance Buck converter RDS(on),max 2.6 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GSID 100 A 100% avalanche testedQOSS 16 nC Superior thermal resistanceQG(0V..10V) 26 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8

 8.2. Size:521K  infineon
bsc090n03lsg.pdfpdf_icon

BSC0901NS

BSC090N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPSRDS(on),max 9 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 48 A Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Superio

Другие MOSFET... BSC077N12NS3G , BSC079N10NSG , BSC080N03LSG , BSC080N03MSG , BSC080P03LSG , BSC082N10LSG , BSC084P03NS3G , BSC084P03NS3EG , IRFZ44N , BSC0902NS , BSC0908NS , BSC0909NS , BSC090N03LSG , BSC090N03MSG , BSC093N04LSG , BSC094N03SG , BSC100N03LSG .

History: S10H12RP | STD65N55LF3 | HM607K | 2SK735 | IRFU2905Z | LP0404N3T5G | CSP10N4P2

 

 
Back to Top

 


 
.