BSC100N06LS3G - аналоги и даташиты транзистора

 

BSC100N06LS3G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BSC100N06LS3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TDSON8
 

 Аналог (замена) для BSC100N06LS3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC100N06LS3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:394K  infineon
 bsc100n06ls3g.pdf pdf_icon

BSC100N06LS3G

TypeBSC100N06LS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 60 V Ideal for high frequency switching and sync. rec.RDS(on),max 10 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 50 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Superior thermal resistance N-channel, logic level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compli

 2.1. Size:585K  infineon
 bsc100n06ls3.pdf pdf_icon

BSC100N06LS3G

pe % ! % TM #:A0A=:2?E1)R + F2=:7:65 244@C5:?8 E@ $ 7@C E2C86E 2AA=:42E:@?DR

 6.1. Size:524K  infineon
 bsc100n03msg.pdf pdf_icon

BSC100N06LS3G

BSC100N03MS GOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETProduct Summary Features VDS 30 V Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) RDS(on),max VGS=10 V 10 mW Low FOMSW for High Frequency SMPSVGS=4.5 V 12 100% avalanche tested ID 44 A PG-TDSON-8 N-channel Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM)DS

 6.2. Size:485K  infineon
 bsc100n03ms.pdf pdf_icon

BSC100N06LS3G

BSC100N03MS GOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETProduct Summary Features VDS 30 V Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) RDS(on),max VGS=10 V 10 mW Low FOMSW for High Frequency SMPSVGS=4.5 V 12 100% avalanche tested ID 44 A PG-TDSON-8 N-channel Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM)DS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BSC0908NS , BSC0909NS , BSC090N03LSG , BSC090N03MSG , BSC093N04LSG , BSC094N03SG , BSC100N03LSG , BSC100N03MSG , IRF640 , BSC100N10NSFG , BSC105N10LSFG , BSC109N10NS3G , BSC110N06NS3G , BSC118N10NSG , BSC119N03SG , BSC120N03LSG , BSC120N03MSG .

 

 
Back to Top

 


 
.