BSC520N15NS3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: BSC520N15NS3G
   Маркировка: 520N15NS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
   Тип корпуса: TDSON8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам