BSO130P03S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BSO130P03S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 708 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для BSO130P03S
BSO130P03S Datasheet (PDF)
bso130p03s.pdf
BSO130P03SOptiMOSTM-P Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV -30 VDS P-ChannelR 13mDS(on),max Enhancement modeI -11.3 AD Logic level 150C operating temperature Avalanche ratedP-DSO-8 dv /dt rated Ideal for fast switching buck converterType Package MarkingBSO130P03S P-DSO-8 130P3SMaximum ratings, at T =25 C, unless otherwise
bso130p03sh.pdf
BSO130P03S HOptiMOS-P Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesV -30 VDS P-ChannelR 13mDS(on),max Enhancement modeI -11.7 AD Logic levelPG-DSO-8 150C operating temperature qualified according JEDEC for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21Type Package Marking Lead fr
bso130n03ms.pdf
%" ! % %0S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 0D n) G S J57>>7@F 93F7 5:3D97 J BDA6G5F !* ( GD O D n)S , G3>;8;76 8AD 5A@EG?7D >7H7> 3BB>;53F;A@S +4 8D77 B>3F;@9 - A#.
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918