BSO150N03MDG - описание и поиск аналогов

 

BSO150N03MDG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSO150N03MDG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для BSO150N03MDG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSO150N03MDG даташит

 ..1. Size:300K  infineon
 bso150n03mdg.pdf pdf_icon

BSO150N03MDG

BSO150N03MD G OptiMOS 3 M-Series Power-MOSFET Product Summary Features V 30 V DS Dual N-channel R V =10 V 15 m DS(on),max GS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) V =4.5 V 18.2 GS Low FOMSW for High Frequency SMPS I 9.3 A D 100% Avalanche tested Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM

 3.1. Size:671K  infineon
 bso150n03md.pdf pdf_icon

BSO150N03MDG

%" ! %0;53F;A@ ) AF74AA= 0" +* ' 0 1 G S 'AI !* ( 8AD #;9 !D7CG7@5K .( +. D S H3>3@5 7 F7EF76 S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 0 D n) G S J57>>7@F 93F7 5 3D97 J BDA6G5F !* ( G D O D n) S , G3>;8;76 8AD 5A@EG?7D >7H7> 3BB>;53F;A@ S +4 8D77 B>3F;@9 - A#. 5A?B>

 5.1. Size:658K  infineon
 bso150n03 rev1.7 g.pdf pdf_icon

BSO150N03MDG

BSO150N03 "9@/; %;+877+;B Features V DS Q 2CD CG D49 ?8 ') - . 7@B -'*- m DS(on) max Q ) AD > J65 D649?@=@8I 7@B ?@D63@@2= B6C CD2?46 Q F2=2?496 B2D

Другие MOSFET... BSO083N03MSG , BSO094N03S , BSO110N03MSG , BSO119N03S , BSO130N03MSG , BSO130P03S , BSO130P03SH , BSO150N03 , 75N75 , BSO200N03 , BSO200N03S , BSO200P03SH , BSO201SPH , BSO203PH , BSO203SPH , BSO204P , BSO207PH .

History: FQA140N10

 

 

 

 

↑ Back to Top
.