Справочник MOSFET. BSO150N03MDG

 

BSO150N03MDG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSO150N03MDG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для BSO150N03MDG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSO150N03MDG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:300K  infineon
 bso150n03mdg.pdf pdf_icon

BSO150N03MDG

BSO150N03MD GOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Dual N-channelR V =10 V 15mDS(on),max GS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)V =4.5 V 18.2GS Low FOMSW for High Frequency SMPSI 9.3 AD 100% Avalanche tested Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM

 3.1. Size:671K  infineon
 bso150n03md.pdf pdf_icon

BSO150N03MDG

%" ! %0;53F;A@ ) AF74AA= 0" +* ' 0 1 G S 'AI !* ( 8AD #;9: !D7CG7@5K .( +.DS H3>3@5:7 F7EF76S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 0D n) G S J57>>7@F 93F7 5:3D97 J BDA6G5F !* ( GD O D n)S , G3>;8;76 8AD 5A@EG?7D >7H7> 3BB>;53F;A@S +4 8D77 B>3F;@9 - A#. 5A?B>

 5.1. Size:658K  infineon
 bso150n03 rev1.7 g.pdf pdf_icon

BSO150N03MDG

BSO150N03 "9@/; %;+877+;BFeatures VDSQ 2CD CG:D49:?8 ') - . 7@B -'*- m DS(on) maxQ ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B ?@D63@@2= B6C:CD2?46Q F2=2?496 B2D

Другие MOSFET... BSO083N03MSG , BSO094N03S , BSO110N03MSG , BSO119N03S , BSO130N03MSG , BSO130P03S , BSO130P03SH , BSO150N03 , IRF520 , BSO200N03 , BSO200N03S , BSO200P03SH , BSO201SPH , BSO203PH , BSO203SPH , BSO204P , BSO207PH .

 

 
Back to Top

 


 
.