BSR316P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BSR316P
Маркировка: LC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.36 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.3 nC
trⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
Тип корпуса: SC59
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
BSR316P Datasheet (PDF)
bsr316p.pdf

BSR316PSIPMOS Small-Signal-TransistorProduct Summary FeaturesVDS -100 V P-ChannelRDS(on),max 1.8 W Enhancement mode / Logic levelID -0.36 A Avalanche rated Pb-free lead plating; RoHS compliant Footprint compatible to SOT23PG-SC59 Qualified according to AEC Q101 Halogen free according to IEC61249-2-21Type Package Tape and Reel Informatio
bsr316p .pdf

BSR316PSIPMOS Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS -100 V P-ChannelRDS(on),max 1.8W Enhancement mode / Logic levelID -0.36 A Avalanche rated Pb-free lead plating; RoHS compliant Footprint compatible to SOT23PG-SC59Type Package Tape and Reel Information Marking Lead free PackingBSR316P PG-SC59 L6327 = 3000 pcs. / reel LC Yes Non dryMa
bsr30 bsr31 bsr33.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D109BSR30; BSR31; BSR33PNP medium power transistors1999 Apr 26Product specificationSupersedes data of 1997 Apr 01Philips Semiconductors Product specificationPNP medium power transistors BSR30; BSR31; BSR33FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V).1 emitter2 collectorAP
bsr30 bsr31 bsr33 2.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D109BSR30; BSR31; BSR33PNP medium power transistorsProduct data sheet 2004 Dec 13Supersedes data of 1999 Apr 26NXP Semiconductors Product data sheetPNP medium power transistors BSR30; BSR31; BSR33FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V).1 emitter2 collectorAPPLICATIO
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: SDD04N65
History: SDD04N65



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
k389 transistor | mje15032g equivalent | nsd134 | 60r190p datasheet | cs30n20 datasheet | go42n10 | 2sa970 datasheet | 2sc1627