Справочник MOSFET. BSZ097N04LSG

 

BSZ097N04LSG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSZ097N04LSG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 2.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0097 Ohm
   Тип корпуса: TSDSON8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BSZ097N04LSG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:635K  infineon
bsz097n04lsg.pdfpdf_icon

BSZ097N04LSG

%* ! % E #;B 1= &=-:>5>?;=#=;0@/? %@9 9 -=DFeatures 4 D Q 2CD CG:D49:?8 ') - . 7@B -'*- 7m D n) m xQ ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BC 4 D1)Q + E2=:7:65 244@B5:?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?C G D ON Q ( 492??6= &@8:4 =6F6=Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n)Q /6BI =@G @? B6C:CD2?46 D n)Q -EA6B:@B D96B>2= B6C:CD2?46Q F2=2?496 D6CD65Q

 7.1. Size:1391K  infineon
bsz097n10ns5.pdfpdf_icon

BSZ097N04LSG

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM5 Power-Transistor, 100 VBSZ097N10NS5Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM5 Power-Transistor, 100 VBSZ097N10NS5TSDSON-8 FL1 Description(enlarged source interconnection)Features Ideal for high frequency switching Optimized technology for DC/DC converters E

 9.1. Size:1458K  infineon
bsz099n06ls5.pdfpdf_icon

BSZ097N04LSG

BSZ099N06LS5MOSFETTSDSON-8 FLOptiMOSTM Power-Transistor,60V(enlarged source interconnection)Features Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21Table

 9.2. Size:1453K  infineon
bsz0909ns rev3.2.pdfpdf_icon

BSZ097N04LSG

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSZ0909NS Data Sheet3.2, 2011-09-22Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSZ0909NS1 DescriptionOptiMOS30V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make OptiMOS

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SIHF18N50C | HCU6N70S | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | OSG60R190DT3ZF

 

 
Back to Top

 


 
.