Справочник MOSFET. BSZ123N08NS3G

 

BSZ123N08NS3G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BSZ123N08NS3G
   Маркировка: 123N08N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 19 nC
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0123 Ohm
   Тип корпуса: TSDSON8

 Аналог (замена) для BSZ123N08NS3G

 

 

BSZ123N08NS3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:478K  infineon
 bsz123n08ns3g.pdf

BSZ123N08NS3G BSZ123N08NS3G

pe $) $ ":A 0

 9.1. Size:298K  infineon
 bsz120p03ns3eg2.1.pdf

BSZ123N08NS3G BSZ123N08NS3G

BSZ120P03NS3E GProduct SummaryOptiMOSTM P3 Power-TransistorV -30 VDSFeaturesR 12mDS(on),max single P-Channel in S3O8I -40 A Qualified according JEDEC1) for target applications DPG-TSDSON-8 150 C operating temperature V =25 V, specially suited for notebook applicationsGS Pb-free; RoHS compliant ESD protected applications: battery mana

 9.2. Size:571K  infineon
 bsz12dn20ns3 bsz12dn20ns3g.pdf

BSZ123N08NS3G BSZ123N08NS3G

TypeBSZ12DN20NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS 200 V Optimized for dc-dc conversionRDS(on),max 125mW N-channel, normal levelID 11.3 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Low on-resistance RDS(on)PG-TSDSON-8 150 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1)

 9.3. Size:614K  infineon
 bsz120p03ns3g bsz120p03ns3g 21.pdf

BSZ123N08NS3G BSZ123N08NS3G

&+ $ "& '! $>E $ $ '>.;?6?@ VDSFeatures 12m DS(on) maxR C:?8=6 ) 92??6= :? , ( 1) 40 AR * E2=:7:65 244@B5:?8 $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?C DPGTSDSON8R U @A6B2D:?8 D6>A6B2DEB6R . CA64:2==I CE:D65 7@B ?@D63@@A=:2?DR 2AA=:42D:@?C 32DD6BI >2?286>6?D =@25 CG:D49:?8R "2=@86? 7B66 244@B5:?8 D@ # Type

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top