Справочник MOSFET. BSZ165N04NSG

 

BSZ165N04NSG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BSZ165N04NSG
   Маркировка: 165N04N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm
   Тип корпуса: TSDSON8

 Аналог (замена) для BSZ165N04NSG

 

 

BSZ165N04NSG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:628K  infineon
 bsz165n04nsg.pdf

BSZ165N04NSG BSZ165N04NSG

$) $ D ":A 0

 9.1. Size:489K  1
 bsz160n10ns3g.pdf

BSZ165N04NSG BSZ165N04NSG

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOS Power-Transistor, 100VOptiMOS 3 Power TransistorBSZ160N10NS3Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketBSZ160N10NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V Ideal for high frequency switchingRDS(on),max 16 mW Optimized technology for DC/DC convertersID

 9.2. Size:452K  infineon
 bsz160n10n3sg.pdf

BSZ165N04NSG BSZ165N04NSG

%* ! !% #;B 1= &=-:>5>?;=#=;0@/? %@99-=DFeatures 1 D Q #4513I CG9D389>7 1 m D n) m xQ ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC 4 DQ H35>5?B=1

 9.3. Size:572K  infineon
 bsz16dn25ns3 bsz16dn25ns3g.pdf

BSZ165N04NSG BSZ165N04NSG

TypeBSZ16DN25NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS 250 V Optimized for dc-dc conversionRDS(on),max 165mW N-channel, normal levelID 10.9 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Low on-resistance RDS(on)PG-TSDSON-8 150 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1)

 9.4. Size:489K  infineon
 bsz160n10ns3.pdf

BSZ165N04NSG BSZ165N04NSG

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOS Power-Transistor, 100VOptiMOS 3 Power TransistorBSZ160N10NS3Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketBSZ160N10NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V Ideal for high frequency switchingRDS(on),max 16 mW Optimized technology for DC/DC convertersID

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top