BUZ30AH3045A - описание и поиск аналогов

 

BUZ30AH3045A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUZ30AH3045A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: D2PAK TO263

Аналог (замена) для BUZ30AH3045A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ30AH3045A даташит

 ..1. Size:1654K  infineon
buz30ah3045a.pdfpdf_icon

BUZ30AH3045A

BUZ30A H3045A . Halogen-free according to IEC61249-2-21 Pb-free H3045A PG-TO263-3 Yes Rev. 2.2 2010-07-02 BUZ30A H3045A 2010-07-02 Rev. 2.2 BUZ30A H3045A 2010-07-02 Rev 2.2 BUZ30A H3045A 2010-07-02 Rev 2.2 BUZ30A H3045A 2010-07-02 Rev 2.2 BUZ30A H3045A 2010-07-02 Rev 2.2 BUZ30A H3045A 10 10 1 0.1 0.01 Rev 2.2 2010-07-02 BUZ30A H3045A 2010-07-02 Rev 2.2

 ..2. Size:228K  inchange semiconductor
buz30ah3045a.pdfpdf_icon

BUZ30AH3045A

Isc N-Channel MOSFET Transistor BUZ30AH3045A FEATURES With TO-263( D PAK ) packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )

 7.1. Size:1428K  infineon
buz30ah.pdfpdf_icon

BUZ30AH3045A

BUZ 30A H SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated . Halogen-free according to IEC61249-2--21 Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Pb-free BUZ 30A H 200 V 21 A 0.13 PG-TO-220-3 Yes Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 26 C 21 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C 84 Aval

 7.2. Size:245K  inchange semiconductor
buz30ah.pdfpdf_icon

BUZ30AH3045A

isc N-Channel MOSFET Transistor BUZ30AH IBUZ30AH FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 130m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High current,high speed switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

Другие MOSFET... BSZ240N12NS3G , BSZ340N08NS3G , BSZ42DN25NS3G , BSZ440N10NS3G , BSZ520N15NS3G , BSZ900N15NS3G , BSZ900N20NS3G , BUZ30AH , 10N65 , BUZ31H , BUZ31H3045A , BUZ31LH , BUZ32H , BUZ32H3045A , BUZ73H , BUZ73AH , BUZ73ALH .

History: LSH60R280HT | ME9435AS-G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.