Справочник MOSFET. IPA65R660CFD

 

IPA65R660CFD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPA65R660CFD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.66 Ohm
   Тип корпуса: TO220FP
 

 Аналог (замена) для IPA65R660CFD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPA65R660CFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4455K  infineon
ipw65r660cfd ipb65r660cfd ipi65r660cfd ipa65r660cfd ipp65r660cfd ipd65r660cfd.pdfpdf_icon

IPA65R660CFD

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CFD2 650V650V CoolMOS CFD2 Power TransistorIPx65R660CFDData SheetRev. 2.4FinalIndustrial & Multimarket650V CoolMOS CFD2 Power TransistorIPW65R660CFD, IPB65R660CFD, IPP65R660CFDIPA65R660CFD, IPD65R660CFD, IPI65R660CFDTO-247 DPAK TO-2201 DescriptionCoolMOS is a revolutionary technology for hi

 ..2. Size:225K  inchange semiconductor
ipa65r660cfd.pdfpdf_icon

IPA65R660CFD

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IPA65R660CFDFEATURESWith TO-220F PackageDrain Source Voltage-: V =650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.66(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(

 7.1. Size:2158K  infineon
ipd65r600c6 ipi65r600c6 ipb65r600c6 ipp65r600c6 ipa65r600c6.pdfpdf_icon

IPA65R660CFD

MOSFET+ =L9D - PA;%'*H (>E4@ +@0=A8AB>@ "( ) "(" ) "( ) "(( ) IPA65R600C61 Descriptin!GGD+ - 1Y AK 9 J=NGDMLAGF9JQ L=;@FGDG?Q >GJ @A?@ NGDL9?= HGO=J+ - 1$#2K

 7.2. Size:919K  infineon
ipd65r600e6 ipp65r600e6 ipa65r600e6.pdfpdf_icon

IPA65R660CFD

MOSFET Metall Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS E6 650V CoolMOSTM E6 Power Transistor IPx65R600E6 Data Sheet Rev. 2.3, 2018-02-28 Power Management & Multimarket 650V CoolMOSTM E6 Power Transistor IPD65R600E6, IPP65R600E6 IPA65R600E6 1 Description CoolMOSTM is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the supe

Другие MOSFET... IPA60R750E6 , IPA60R950C6 , IPA65R280C6 , IPA65R280E6 , IPA65R380C6 , IPA65R380E6 , IPA65R600C6 , IPA65R600E6 , STP75NF75 , IPA90R1K0C3 , IPA90R1K2C3 , IPA90R340C3 , IPA90R500C3 , IPA90R800C3 , IPB100N04S2-04 , IPB100N04S2L-03 , IPB100N04S3-03 .

History: TSM9409CS | AP9938AGEY | NVMD3P03 | SQ2348ES | IXFT16N120P | AP18T10GJ

 

 
Back to Top

 


 
.