IPB160N04S3-H2 - описание и поиск аналогов

 

IPB160N04S3-H2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPB160N04S3-H2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2000 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm

Тип корпуса: TO263-7

Аналог (замена) для IPB160N04S3-H2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB160N04S3-H2 даташит

 ..1. Size:192K  infineon
 ipb160n04s3-h2 ipb160n04s3-h2 ds 1 1.pdf pdf_icon

IPB160N04S3-H2

IPB160N04S3-H2 OptiMOS -T Power-Transistor Product Summary V 40 V DS R 2.1 m DS(on) I 160 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO263-7-3 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green package (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPB160N04S3-H2 PG-T

 4.1. Size:122K  infineon
 ipb160n04s4-h1.pdf pdf_icon

IPB160N04S3-H2

IPB160N04S4-H1 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 40 V DS R 1.6 mW DS(on) I 160 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPB160N04S4-H1 PG-TO263-7-3 4N04H1

 4.2. Size:162K  infineon
 ipb160n04s4-h1 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPB160N04S3-H2

IPB160N04S4-H1 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 40 V DS R 1.6 m DS(on) I 160 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPB160N04S4-H1 PG-TO263-7-3 4N04H1

 4.3. Size:145K  infineon
 ipb160n04s2-03.pdf pdf_icon

IPB160N04S3-H2

IPB160N04S2-03 OptiMOS - T Power-Transistor Product Summary Features V 40 V DS N-channel - Enhancement mode R 2.9 m DS(on),max Automotive AEC Q101 qualified I 160 A D MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green package (lead free) PG-TO263-7-3 Ultra low Rds(on) 100% Avalanche tested Type Package Ordering Code Marking IPB1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPB100N08S2-07 , IPB100N08S2L-07 , IPB100N10S3-05 , IPB100P03P3L-04 , IPB120N04S3-02 , IPB120N06S4-03 , IPB160N04S2-03 , IPB160N04S2L-03 , AON7410 , IPB180N03S4L-H0 , IPB180N04S3-02 , IPB180N04S4-00 , IPB180N06S4-H1 , IPB22N03S4L-15 , IPB45N06S4-09 , IPB45N06S4L-08 , IPB45P03P4L-11 .

History: SUP90N08-6M8P | IPB47N10SL-26

 

 

 

 

↑ Back to Top
.