IPB80N04S3-04 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IPB80N04S3-04
Маркировка: 3N0404
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 136 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 60 nC
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 1100 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0038 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для IPB80N04S3-04
IPB80N04S3-04 Datasheet (PDF)
ipb80n04s3-04 ipi80n04s3-04 ipp80n04s3-04 ipp80n04s3 ipb80n04s3 ipi80n04s3-04.pdf
IPB80N04S3-04IPI80N04S3-04, IPP80N04S3-04OptiMOS-T Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR (SMD version) 3.8mDS(on),maxI 80 ADFeatures N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualifiedPG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (RoHS compliant) 100% Avalanche
ipb80n04s3-03 ipi80n04s3-03 ipp80n04s3-03 ipb80n04s3-03 ipi80n04s3-03 ipp80n04s3-03 ipp80n04s3 b80n04s3 i80n04s3-03.pdf
IPB80N04S3-03IPI80N04S3-03, IPP80N04S3-03OptiMOS-T Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR (SMD version) 3.2mDS(on),maxI 80 ADFeatures N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (RoHS compliant) Ultra low Rds(on
ipb80n04s3-06 ipi80n04s3-06 ipp80n04s3-06 ipp80n04s3 ipb80n04s3 ipi80n04s3.pdf
IPB80N04S3-06IPI80N04S3-06, IPP80N04S3-06OptiMOS-T Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR (SMD version) 5.4mDS(on),maxI 80 ADFeatures N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (RoHS compliant) 100% Avalanche t
ipb80n04s3-h4 ipi80n04s3-h4 ipp80n04s3-h4.pdf
IPB80N04S3-H4IPI80N04S3-H4, IPP80N04S3-H4OptiMOS-T Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR (SMD version) 4.5mDS(on),maxI 80 ADFeatures N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualifiedPG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (RoHS compliant) 100% Avalanche
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
