IPB80N06S4-05. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPB80N06S4-05

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для IPB80N06S4-05

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB80N06S4-05 даташит

 ..1. Size:170K  infineon
 ipb80n06s4-05 ipi80n06s4-05 ipp80n06s4-05 ipp80n06s4 ipb80n06s4 ipi80n06s4-05.pdf pdf_icon

IPB80N06S4-05

IPB80N06S4-05 IPI80N06S4-05, IPP80N06S4-05 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 60 V DS R (SMD version) 5.4 m DS(on),max I 80 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested T

 2.1. Size:175K  infineon
 ipi80n06s4-07 ipp80n06s4-07 ipb80n06s4-07.pdf pdf_icon

IPB80N06S4-05

IPB80N06S4-07 IPI80N06S4-07, IPP80N06S4-07 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 60 V DS R (SMD version) 7.1 m DS(on),max I 80 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested T

 2.2. Size:171K  infineon
 ipb80n06s4-07 ipi80n06s4-07 ipp80n06s4-07.pdf pdf_icon

IPB80N06S4-05

IPB80N06S4-07 IPI80N06S4-07, IPP80N06S4-07 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 60 V DS R (SMD version) 7.1 m DS(on),max I 80 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested T

 4.1. Size:174K  infineon
 ipi80n06s4l-05 ipp80n06s4l-05 ipb80n06s4l-05.pdf pdf_icon

IPB80N06S4-05

IPB80N06S4L-05 IPI80N06S4L-05, IPP80N06S4L-05 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 60 V DS R (SMD version) 4.8 m DS(on),max I 80 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPB80N06S2-09, IPB80N06S2-H5, IPB80N06S2L-05, IPB80N06S2L-06, IPB80N06S2L-07, IPB80N06S2L-09, IPB80N06S2L-11, IPB80N06S2L-H5, IRFZ48N, IPB80N06S4-07, IPB80N06S4L-05, IPB80N06S4L-07, IPB80N08S2-07, IPB80N08S2L-07, IPB80P03P4-05, IPB80P03P4L-04, IPB80P03P4L-07