Справочник MOSFET. IPB80N06S4-05

 

IPB80N06S4-05 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPB80N06S4-05
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1230 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB80N06S4-05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  infineon
 ipb80n06s4-05 ipi80n06s4-05 ipp80n06s4-05 ipp80n06s4 ipb80n06s4 ipi80n06s4-05.pdf pdf_icon

IPB80N06S4-05

IPB80N06S4-05IPI80N06S4-05, IPP80N06S4-05OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR (SMD version) 5.4mDS(on),max I 80 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedT

 2.1. Size:175K  infineon
 ipi80n06s4-07 ipp80n06s4-07 ipb80n06s4-07.pdf pdf_icon

IPB80N06S4-05

IPB80N06S4-07IPI80N06S4-07, IPP80N06S4-07OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR (SMD version) 7.1mDS(on),max I 80 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedT

 2.2. Size:171K  infineon
 ipb80n06s4-07 ipi80n06s4-07 ipp80n06s4-07.pdf pdf_icon

IPB80N06S4-05

IPB80N06S4-07IPI80N06S4-07, IPP80N06S4-07OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR (SMD version) 7.1mDS(on),max I 80 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedT

 4.1. Size:174K  infineon
 ipi80n06s4l-05 ipp80n06s4l-05 ipb80n06s4l-05.pdf pdf_icon

IPB80N06S4-05

IPB80N06S4L-05IPI80N06S4L-05, IPP80N06S4L-05OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR (SMD version) 4.8mDS(on),max I 80 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: AUIRF7309Q | IPD30N08S2-22 | STP5NB40 | DG2N60-220 | TPNTA4153NT1G | KX120N06 | 2SK3532

 

 
Back to Top

 


 
.