Справочник MOSFET. IPB017N06N3G

 

IPB017N06N3G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPB017N06N3G
   Маркировка: 017N06N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 206 nC
   trⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3700 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
   Тип корпуса: TO263-7

 Аналог (замена) для IPB017N06N3G

 

 

IPB017N06N3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:661K  infineon
 ipb017n06n3 ipb017n06n3g.pdf

IPB017N06N3G IPB017N06N3G

pe # ! ! D #:A03 B53 1 7 mWD n) m xQ ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC 1 DQ H35

 6.1. Size:1149K  infineon
 ipb017n08n5.pdf

IPB017N06N3G IPB017N06N3G

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS5 Power-Transistor, 80 VIPB017N08N5Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOS5 Power-Transistor, 80 VIPB017N08N5DPAK1 DescriptionFeatures Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance R

 7.1. Size:2346K  infineon
 ipb017n10n5.pdf

IPB017N06N3G IPB017N06N3G

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS 5 Power-Transistor, 100 VIPB017N10N5Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOS 5 Power-Transistor, 100 VIPB017N10N5D-PAK 7pin1 DescriptionFeatures Ideal for high frequency switching and sync. rec.tab Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low

 7.2. Size:1097K  infineon
 ipb017n10n5lf.pdf

IPB017N06N3G IPB017N06N3G

IPB017N10N5LFMOSFETD-PAK 7pinOptiMOSTM 5 Linear FET, 100 VFeatures Ideal for hot-swap and e-fuse applicationstab Very low on-resistance RDS(on) Wide safe operating area SOA N-channel, normal level1 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant7 Qualified according to JEDEC1) for target applications Halogen-free according to IEC61

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top