IPB017N06N3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IPB017N06N3G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3700 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
Тип корпуса: TO263-7
Аналог (замена) для IPB017N06N3G
IPB017N06N3G Datasheet (PDF)
ipb017n06n3 ipb017n06n3g.pdf

pe # ! ! D #:A03 B53 1 7 mWD n) m xQ ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC 1 DQ H35
ipb017n08n5.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS5 Power-Transistor, 80 VIPB017N08N5Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOS5 Power-Transistor, 80 VIPB017N08N5DPAK1 DescriptionFeatures Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance R
ipb017n10n5.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS 5 Power-Transistor, 100 VIPB017N10N5Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOS 5 Power-Transistor, 100 VIPB017N10N5D-PAK 7pin1 DescriptionFeatures Ideal for high frequency switching and sync. rec.tab Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low
ipb017n10n5lf.pdf

IPB017N10N5LFMOSFETD-PAK 7pinOptiMOSTM 5 Linear FET, 100 VFeatures Ideal for hot-swap and e-fuse applicationstab Very low on-resistance RDS(on) Wide safe operating area SOA N-channel, normal level1 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant7 Qualified according to JEDEC1) for target applications Halogen-free according to IEC61
Другие MOSFET... IPB90N06S4-04 , IPB90N06S4L-04 , IPB009N03LG , IPB011N04LG , IPB011N04NG , IPB015N04LG , IPB015N04NG , IPB016N06L3G , IRF3205 , IPB019N06L3G , IPB019N08N3G , IPB020N04NG , IPB020NE7N3G , IPB021N06N3G , IPB022N04LG , IPB023N04NG , IPB023N06N3G .
History: PJL9801 | STD3NM50T4 | FDD86369F085 | SQJB80EP | AFN8471 | BL8N60-A | RFM15N06L
History: PJL9801 | STD3NM50T4 | FDD86369F085 | SQJB80EP | AFN8471 | BL8N60-A | RFM15N06L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2n3905 | mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320 | 2sc2078 | ac127 transistor | a42 transistor | bc547c