IPB120N06S4-H1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPB120N06S4-H1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для IPB120N06S4-H1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB120N06S4-H1 даташит

 ..1. Size:174K  infineon
 ipi120n06s4-h1 ipp120n06s4-h1 ipb120n06s4-h1.pdf pdf_icon

IPB120N06S4-H1

IPB120N06S4-H1 IPI120N06S4-H1, IPP120N06S4-H1 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 60 V DS R (SMD version) 2.1 m DS(on),max I 120 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche teste

 ..2. Size:170K  infineon
 ipb120n06s4-h1 ipi120n06s4-h1 ipp120n06s4-h1.pdf pdf_icon

IPB120N06S4-H1

IPB120N06S4-H1 IPI120N06S4-H1, IPP120N06S4-H1 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 60 V DS R (SMD version) 2.1 m DS(on),max I 120 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche teste

 2.1. Size:170K  infineon
 ipb120n06s4-03 ipi120n06s4-03 ipp120n06s4-03 ipp120n06s4 ipb120n06s4 ipi120n06s4-03.pdf pdf_icon

IPB120N06S4-H1

IPB120N06S4-03 IPI120N06S4-03, IPP120N06S4-03 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 60 V DS R (SMD version) 2.8 m DS(on),max I 120 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche teste

 2.2. Size:170K  infineon
 ipb120n06s4-02 ipi120n06s4-02 ipp120n06s4-02 ipp120n06s4 ipb120n06s4 ipi120n06s4-02.pdf pdf_icon

IPB120N06S4-H1

IPB120N06S4-02 IPI120N06S4-02, IPP120N06S4-02 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 60 V DS R (SMD version) 2.4 m DS(on),max I 120 A D Features PG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 N-channel - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Ty

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPB100N04S4-H2, IPB107N20N3G, IPB108N15N3G, IPB114N03LG, IPB120N04S4-01, IPB120N04S4-02, IPB120N06NG, IPB120N06S4-02, 2SK3568, IPB123N10N3G, IPB12CNE8NG, IPB136N08N3G, IPB144N12N3G, IPB147N03LG, IPB160N04S4-H1, IPB16CN10NG, IPB180N03S4L-01