Справочник MOSFET. IPB120N06S4-H1

 

IPB120N06S4-H1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPB120N06S4-H1
   Маркировка: 4N06H1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 208 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IPB120N06S4-H1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB120N06S4-H1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:174K  infineon
 ipi120n06s4-h1 ipp120n06s4-h1 ipb120n06s4-h1.pdf pdf_icon

IPB120N06S4-H1

IPB120N06S4-H1IPI120N06S4-H1, IPP120N06S4-H1OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR (SMD version) 2.1mDS(on),max I 120 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche teste

 ..2. Size:170K  infineon
 ipb120n06s4-h1 ipi120n06s4-h1 ipp120n06s4-h1.pdf pdf_icon

IPB120N06S4-H1

IPB120N06S4-H1IPI120N06S4-H1, IPP120N06S4-H1OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR (SMD version) 2.1mDS(on),max I 120 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche teste

 2.1. Size:170K  infineon
 ipb120n06s4-03 ipi120n06s4-03 ipp120n06s4-03 ipp120n06s4 ipb120n06s4 ipi120n06s4-03.pdf pdf_icon

IPB120N06S4-H1

IPB120N06S4-03IPI120N06S4-03, IPP120N06S4-03OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR (SMD version) 2.8mDS(on),max I 120 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche teste

 2.2. Size:170K  infineon
 ipb120n06s4-02 ipi120n06s4-02 ipp120n06s4-02 ipp120n06s4 ipb120n06s4 ipi120n06s4-02.pdf pdf_icon

IPB120N06S4-H1

IPB120N06S4-02IPI120N06S4-02, IPP120N06S4-02OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR (SMD version) 2.4mDS(on),max I 120 ADFeaturesPG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 N-channel - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedTy

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPB100N04S4-H2 , IPB107N20N3G , IPB108N15N3G , IPB114N03LG , IPB120N04S4-01 , IPB120N04S4-02 , IPB120N06NG , IPB120N06S4-02 , 5N65 , IPB123N10N3G , IPB12CNE8NG , IPB136N08N3G , IPB144N12N3G , IPB147N03LG , IPB160N04S4-H1 , IPB16CN10NG , IPB180N03S4L-01 .

History: P1308AK | SL21N65CK | NTLJD3182FZTBG

 

 
Back to Top

 


 
.