IPD30N06S2-15 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IPD30N06S2-15
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 28 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 464 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0147 Ohm
Тип корпуса: TO252
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IPD30N06S2-15 Datasheet (PDF)
ipd30n06s2-15.pdf

IPD30N06S2-15OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel - Enhancement modeR (SMD version) 14.7mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 30 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD30N06
ipd30n06s2-23.pdf

IPD30N06S2-23OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel - Enhancement modeR (SMD version) 23mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 30 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD30N06S2
ipd30n06s2l-13.pdf

IPD30N06S2L-13OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR (SMD version) 13mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 30 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package Markin
ipd30n06s2l-23.pdf

IPD30N06S2L-23OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR (SMD version) 23mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 30 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package Markin
Другие MOSFET... IPD25N06S2-40 , IPD25N06S4L-30 , IPD26N06S2L-35 , IPD30N03S2L-07 , IPD30N03S2L-10 , IPD30N03S2L-20 , IPD30N03S4L-09 , IPD30N03S4L-14 , IRFP260 , IPD30N06S2-23 , IPD30N06S2L-13 , IPD30N06S2L-23 , IPD30N06S4L-23 , IPD30N08S2-22 , IPD30N08S2L-21 , IPD30N10S3L-34 , IPD35N10S3L-26 .
History: DMN3052LSS | FHF630A | SRT08N025HT
History: DMN3052LSS | FHF630A | SRT08N025HT



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sa1220 | 2sa940 | 2sc627 | 2sc680 | 2sd234 | 2sc9014 | a970 transistor | 2sb560