IPD30N06S2L-13. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPD30N06S2L-13

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 508 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IPD30N06S2L-13

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD30N06S2L-13 даташит

 ..1. Size:148K  infineon
 ipd30n06s2l-13.pdf pdf_icon

IPD30N06S2L-13

IPD30N06S2L-13 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Features V 55 V DS N-channel Logic Level - Enhancement mode R (SMD version) 13 m DS(on),max Automotive AEC Q101 qualified I 30 A D MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature PG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche tested Type Package Markin

 2.1. Size:148K  infineon
 ipd30n06s2l-23.pdf pdf_icon

IPD30N06S2L-13

IPD30N06S2L-23 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Features V 55 V DS N-channel Logic Level - Enhancement mode R (SMD version) 23 m DS(on),max Automotive AEC Q101 qualified I 30 A D MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature PG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche tested Type Package Markin

 4.1. Size:149K  infineon
 ipd30n06s2-15.pdf pdf_icon

IPD30N06S2L-13

IPD30N06S2-15 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Features V 55 V DS N-channel - Enhancement mode R (SMD version) 14.7 m DS(on),max Automotive AEC Q101 qualified I 30 A D MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature PG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD30N06

 4.2. Size:149K  infineon
 ipd30n06s2-23.pdf pdf_icon

IPD30N06S2L-13

IPD30N06S2-23 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Features V 55 V DS N-channel - Enhancement mode R (SMD version) 23 m DS(on),max Automotive AEC Q101 qualified I 30 A D MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature PG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD30N06S2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPD26N06S2L-35, IPD30N03S2L-07, IPD30N03S2L-10, IPD30N03S2L-20, IPD30N03S4L-09, IPD30N03S4L-14, IPD30N06S2-15, IPD30N06S2-23, STP75NF75, IPD30N06S2L-23, IPD30N06S4L-23, IPD30N08S2-22, IPD30N08S2L-21, IPD30N10S3L-34, IPD35N10S3L-26, IPD40N03S4L-08, IPD50N03S2-07