Справочник MOSFET. IPD30N06S2L-13

 

IPD30N06S2L-13 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD30N06S2L-13
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 508 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IPD30N06S2L-13

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD30N06S2L-13 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:148K  infineon
 ipd30n06s2l-13.pdf pdf_icon

IPD30N06S2L-13

IPD30N06S2L-13OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR (SMD version) 13mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 30 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package Markin

 2.1. Size:148K  infineon
 ipd30n06s2l-23.pdf pdf_icon

IPD30N06S2L-13

IPD30N06S2L-23OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR (SMD version) 23mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 30 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package Markin

 4.1. Size:149K  infineon
 ipd30n06s2-15.pdf pdf_icon

IPD30N06S2L-13

IPD30N06S2-15OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel - Enhancement modeR (SMD version) 14.7mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 30 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD30N06

 4.2. Size:149K  infineon
 ipd30n06s2-23.pdf pdf_icon

IPD30N06S2L-13

IPD30N06S2-23OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel - Enhancement modeR (SMD version) 23mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 30 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD30N06S2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPD26N06S2L-35 , IPD30N03S2L-07 , IPD30N03S2L-10 , IPD30N03S2L-20 , IPD30N03S4L-09 , IPD30N03S4L-14 , IPD30N06S2-15 , IPD30N06S2-23 , 12N60 , IPD30N06S2L-23 , IPD30N06S4L-23 , IPD30N08S2-22 , IPD30N08S2L-21 , IPD30N10S3L-34 , IPD35N10S3L-26 , IPD40N03S4L-08 , IPD50N03S2-07 .

History: SIHFR9014 | SI3447BDV

 

 
Back to Top

 


 
.