Справочник MOSFET. IPD50N03S2-07

 

IPD50N03S2-07 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD50N03S2-07
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0073 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD50N03S2-07 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:150K  infineon
 ipd50n03s2-07.pdf pdf_icon

IPD50N03S2-07

IPD50N03S2-07OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS N-channel - Enhancement modeR 7.3mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 50 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD50N03S2-07 PG-TO252-

 4.1. Size:151K  infineon
 ipd50n03s2l-06.pdf pdf_icon

IPD50N03S2-07

IPD50N03S2L-06OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR 6.4mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 50 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD50N03S2

 5.1. Size:132K  infineon
 ipd50n03s4l-06 ipd50n03s4l-06 ds 1 1.pdf pdf_icon

IPD50N03S2-07

IPD50N03S4L-06OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 30 VDSR 5.5mWDS(on),maxI 50 ADPG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD50N03S4L-06 PG-TO252-3-11 4N03L06Maximum rat

 7.1. Size:154K  1
 ipd50n06s2l-13.pdf pdf_icon

IPD50N03S2-07

IPD50N06S2L-13OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR (SMD version) 12.7mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 50 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package Mark

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPD30N06S2L-13 , IPD30N06S2L-23 , IPD30N06S4L-23 , IPD30N08S2-22 , IPD30N08S2L-21 , IPD30N10S3L-34 , IPD35N10S3L-26 , IPD40N03S4L-08 , K4145 , IPD50N03S2L-06 , IPD50N03S4L-06 , IPD50N04S3-08 , IPD50N04S3-09 , IPD50N06S2-14 , IPD50N06S2L-13 , IPF105N03LG , IPD50N06S4-09 .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.