Справочник MOSFET. IPD50N03S4L-06

 

IPD50N03S4L-06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD50N03S4L-06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD50N03S4L-06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:132K  infineon
 ipd50n03s4l-06 ipd50n03s4l-06 ds 1 1.pdf pdf_icon

IPD50N03S4L-06

IPD50N03S4L-06OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 30 VDSR 5.5mWDS(on),maxI 50 ADPG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD50N03S4L-06 PG-TO252-3-11 4N03L06Maximum rat

 5.1. Size:150K  infineon
 ipd50n03s2-07.pdf pdf_icon

IPD50N03S4L-06

IPD50N03S2-07OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS N-channel - Enhancement modeR 7.3mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 50 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD50N03S2-07 PG-TO252-

 5.2. Size:151K  infineon
 ipd50n03s2l-06.pdf pdf_icon

IPD50N03S4L-06

IPD50N03S2L-06OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR 6.4mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 50 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD50N03S2

 7.1. Size:154K  1
 ipd50n06s2l-13.pdf pdf_icon

IPD50N03S4L-06

IPD50N06S2L-13OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR (SMD version) 12.7mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 50 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package Mark

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SPN3414S23RGB | IRFB7530 | 2SK417 | 2SK2688-01S | PDN2309S | TPC65R260M | BRCS100N06BD

 

 
Back to Top

 


 
.