IPD50N04S3-09 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IPD50N04S3-09
Маркировка: 3N0409
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
trⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 720 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для IPD50N04S3-09
IPD50N04S3-09 Datasheet (PDF)
ipd50n04s3-09 ipd50n04s3-09 ds 1 1.pdf
IPD50N04S3-09OptiMOS-T Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 9mDS(on),maxI 50 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-11 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD50N04S3-09 PG-TO252-3-11 3N0409Maxim
ipd50n04s3-08 ipd50n04s3-08 ds 1 0.pdf
IPD50N04S3-08OptiMOS-T Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 7.5mDS(on),maxI 50 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-11 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD50N04S3-08 PG-TO252-3-11 3N0408Max
ipd50n04s4l-08 ipd50n04s4l-08 ds 1 0.pdf
IPD50N04S4L-08OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 7.3mDS(on),maxI 50 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-313 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD50N04S4-08 PG-TO252-3-313 4N04L08Maximum rating
ipd50n04s4-10 ipd50n04s4-10 ds 1 0.pdf
IPD50N04S4-10OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 9.3mDS(on),maxI 50 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-313 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD50N04S4-10 PG-TO252-3-313 4N0410Maximum ratings,
ipd50n04s4-08 ds 1 0.pdf
IPD50N04S4-08OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 7.9mDS(on),maxI 50 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-313 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD50N04S4-08 PG-TO252-3-313 4N0408Maximum ratings,
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918