IPD50N04S3-09. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPD50N04S3-09

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 720 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IPD50N04S3-09

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD50N04S3-09 даташит

 ..1. Size:182K  infineon
 ipd50n04s3-09 ipd50n04s3-09 ds 1 1.pdf pdf_icon

IPD50N04S3-09

IPD50N04S3-09 OptiMOS -T Power-Transistor Product Summary V 40 V DS R 9 m DS(on),max I 50 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO252-3-11 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green package (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD50N04S3-09 PG-TO252-3-11 3N0409 Maxim

 2.1. Size:184K  infineon
 ipd50n04s3-08 ipd50n04s3-08 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPD50N04S3-09

IPD50N04S3-08 OptiMOS -T Power-Transistor Product Summary V 40 V DS R 7.5 m DS(on),max I 50 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO252-3-11 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green package (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD50N04S3-08 PG-TO252-3-11 3N0408 Max

 5.1. Size:153K  infineon
 ipd50n04s4l-08 ipd50n04s4l-08 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPD50N04S3-09

IPD50N04S4L-08 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 40 V DS R 7.3 m DS(on),max I 50 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO252-3-313 AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD50N04S4-08 PG-TO252-3-313 4N04L08 Maximum rating

 5.2. Size:153K  infineon
 ipd50n04s4-10 ipd50n04s4-10 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPD50N04S3-09

IPD50N04S4-10 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 40 V DS R 9.3 m DS(on),max I 50 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO252-3-313 AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD50N04S4-10 PG-TO252-3-313 4N0410 Maximum ratings,

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPD30N08S2L-21, IPD30N10S3L-34, IPD35N10S3L-26, IPD40N03S4L-08, IPD50N03S2-07, IPD50N03S2L-06, IPD50N03S4L-06, IPD50N04S3-08, 13N50, IPD50N06S2-14, IPD50N06S2L-13, IPF105N03LG, IPD50N06S4-09, IPD50N06S4L-08, IPD50N06S4L-12, IPD50N10S3L-16, IPD50P03P4L-11