Справочник MOSFET. IPD50N04S3-09

 

IPD50N04S3-09 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD50N04S3-09
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 720 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD50N04S3-09 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  infineon
 ipd50n04s3-09 ipd50n04s3-09 ds 1 1.pdf pdf_icon

IPD50N04S3-09

IPD50N04S3-09OptiMOS-T Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 9mDS(on),maxI 50 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-11 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD50N04S3-09 PG-TO252-3-11 3N0409Maxim

 2.1. Size:184K  infineon
 ipd50n04s3-08 ipd50n04s3-08 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPD50N04S3-09

IPD50N04S3-08OptiMOS-T Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 7.5mDS(on),maxI 50 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-11 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD50N04S3-08 PG-TO252-3-11 3N0408Max

 5.1. Size:153K  infineon
 ipd50n04s4l-08 ipd50n04s4l-08 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPD50N04S3-09

IPD50N04S4L-08OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 7.3mDS(on),maxI 50 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-313 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD50N04S4-08 PG-TO252-3-313 4N04L08Maximum rating

 5.2. Size:153K  infineon
 ipd50n04s4-10 ipd50n04s4-10 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPD50N04S3-09

IPD50N04S4-10OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 9.3mDS(on),maxI 50 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-313 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD50N04S4-10 PG-TO252-3-313 4N0410Maximum ratings,

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPD30N08S2L-21 , IPD30N10S3L-34 , IPD35N10S3L-26 , IPD40N03S4L-08 , IPD50N03S2-07 , IPD50N03S2L-06 , IPD50N03S4L-06 , IPD50N04S3-08 , AON7506 , IPD50N06S2-14 , IPD50N06S2L-13 , IPF105N03LG , IPD50N06S4-09 , IPD50N06S4L-08 , IPD50N06S4L-12 , IPD50N10S3L-16 , IPD50P03P4L-11 .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.