Справочник MOSFET. IPD50N06S2L-13

 

IPD50N06S2L-13 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPD50N06S2L-13
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 508 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0127 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IPD50N06S2L-13

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD50N06S2L-13 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  1
 ipd50n06s2l-13.pdf pdf_icon

IPD50N06S2L-13

IPD50N06S2L-13OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR (SMD version) 12.7mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 50 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package Mark

 ..2. Size:148K  infineon
 ipd50n06s2l-13.pdf pdf_icon

IPD50N06S2L-13

IPD50N06S2L-13OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR (SMD version) 12.7mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 50 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package Mark

 4.1. Size:149K  infineon
 ipd50n06s2-14 ipd50n06s2-14 ds 1 1.pdf pdf_icon

IPD50N06S2L-13

IPD50N06S2-14 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel - Enhancement modeR (SMD version) 14.4mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 50 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD50N06S2-14

 4.2. Size:824K  cn vbsemi
 ipd50n06s2-14.pdf pdf_icon

IPD50N06S2L-13

IPD50N06S2-14www.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 50 Material categorization:600.013 at VGS = 4.5 V 45DTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Li

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPD35N10S3L-26 , IPD40N03S4L-08 , IPD50N03S2-07 , IPD50N03S2L-06 , IPD50N03S4L-06 , IPD50N04S3-08 , IPD50N04S3-09 , IPD50N06S2-14 , 4N60 , IPF105N03LG , IPD50N06S4-09 , IPD50N06S4L-08 , IPD50N06S4L-12 , IPD50N10S3L-16 , IPD50P03P4L-11 , IPD70N03S4L-04 , IPD70N04S3-07 .

History: BRF2N70 | VBM18R15S | DH060N08I | STF6NK50Z | AP70WN1K5I | 2SJ407 | CS5N65A4

 

 
Back to Top

 


 
.