Справочник MOSFET. IPF105N03LG

 

IPF105N03LG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPF105N03LG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IPF105N03LG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPF105N03LG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1239K  1
 ipd105n03lg ipf105n03lg ips105n03lg ipu105n03lg.pdf pdf_icon

IPF105N03LG

pe % # ! % # ! %' # ! %) # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD S !4EF EI

Другие MOSFET... IPD40N03S4L-08 , IPD50N03S2-07 , IPD50N03S2L-06 , IPD50N03S4L-06 , IPD50N04S3-08 , IPD50N04S3-09 , IPD50N06S2-14 , IPD50N06S2L-13 , 4435 , IPD50N06S4-09 , IPD50N06S4L-08 , IPD50N06S4L-12 , IPD50N10S3L-16 , IPD50P03P4L-11 , IPD70N03S4L-04 , IPD70N04S3-07 , IPD70N10S3-12 .

History: VBE2102M | QM3018D | OSG80R380HF

 

 
Back to Top

 


 
.