IPD50N06S4-09. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPD50N06S4-09

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 715 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IPD50N06S4-09

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD50N06S4-09 даташит

 ..1. Size:164K  infineon
 ipd50n06s4-09 ipd50n06s4-09 ds 12.pdf pdf_icon

IPD50N06S4-09

IPD50N06S4-09 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 60 V DS R 9.0 m DS(on),max I 50 A D Features PG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD50N06S4-09 PG-TO252-3-11 4N0609 Maximum ratings, a

 4.1. Size:162K  infineon
 ipd50n06s4l-08 ipd50n06s4l-08 ds 10.pdf pdf_icon

IPD50N06S4-09

IPD50N06S4L-08 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 60 V DS R 7.8 m DS(on),max I 50 A D Features PG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD50N06S4L-08 PG-TO252-3-11 4N06L08 Maximum ra

 4.2. Size:163K  infineon
 ipd50n06s4l-12 ipd50n06s4l-12 ds 10.pdf pdf_icon

IPD50N06S4-09

IPD50N06S4L-12 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 60 V DS R 12 m DS(on),max I 50 A D Features PG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD50N06S4L-12 PG-TO252-3-11 4N06L12 Maximum rat

 5.1. Size:154K  1
 ipd50n06s2l-13.pdf pdf_icon

IPD50N06S4-09

IPD50N06S2L-13 OptiMOS Power-Transistor Product Summary Features V 55 V DS N-channel Logic Level - Enhancement mode R (SMD version) 12.7 m DS(on),max Automotive AEC Q101 qualified I 50 A D MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature PG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche tested Type Package Mark

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPD50N03S2-07, IPD50N03S2L-06, IPD50N03S4L-06, IPD50N04S3-08, IPD50N04S3-09, IPD50N06S2-14, IPD50N06S2L-13, IPF105N03LG, IRF1010E, IPD50N06S4L-08, IPD50N06S4L-12, IPD50N10S3L-16, IPD50P03P4L-11, IPD70N03S4L-04, IPD70N04S3-07, IPD70N10S3-12, IPD70N10S3L-12