IPD90N04S3-H4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPD90N04S3-H4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0043 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IPD90N04S3-H4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD90N04S3-H4 даташит

 ..1. Size:162K  infineon
 ipd90n04s3-h4.pdf pdf_icon

IPD90N04S3-H4

IPD90N04S3-H4 OptiMOS -T Power-Transistor Product Summary V 40 V DS R 4.3 m DS(on),max I 90 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO252-3-11 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green package (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD90N04S3-H4 PG-TO252-3-11 QN04H4 Max

 3.1. Size:184K  infineon
 ipd90n04s3-04 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPD90N04S3-H4

IPD90N04S3-04 OptiMOS -T Power-Transistor Product Summary V 40 V DS R 3.6 m DS(on),max I 90 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO252-3-11 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green package (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD90N04S3-04 PG-TO252-3-11 QN0404 Max

 5.1. Size:152K  infineon
 ipd90n04s4-03 ipd90n04s4-03 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPD90N04S3-H4

IPD90N04S4-03 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 40 V DS R 3.2 m DS(on),max I 90 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO252-3-313 AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD90N04S4-03 PG-TO252-3-313 4N0403 Maximum ratings,

 5.2. Size:154K  infineon
 ipd90n04s4-04 ipd90n04s4-04 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPD90N04S3-H4

IPD90N04S4-04 OptiMOS -T2 Power-Transistor Product Summary V 40 V DS R 4.1 m DS(on),max I 90 A D Features N-channel - Enhancement mode PG-TO252-3-313 AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPD90N04S4-04 PG-TO252-3-313 4N0404 Maximum ratings,

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPD70N04S3-07, IPD70N10S3-12, IPD70N10S3L-12, IPD80N04S3-06, IPD80P03P4L-07, IPD90N03S4L-02, IPD90N03S4L-03, IPD90N04S3-04, IRF1407, IPD90N04S4-04, IPD90N04S4L-04, IPD90N06S4-04, IPD90N06S4-05, IPD90N06S4-07, IPD90N06S4L-03, IPD90N06S4L-05, IPD90N06S4L-06